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公开(公告)号:CN115586598B
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202211277533.5
申请日:2022-10-19
Applicant: 南开大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种外在手性超构表面结构及调制圆偏振光反射强度的方法,涉及微纳光学技术领域,本发明提供的外在手性超构表面结构由多个基体结构单元组成,基体结构单元包括第一金属层、电介质层和第二金属层;第二金属层包括沿电介质层的表面延伸的第一棒体和第二棒体,第一棒体与第二棒体间隔设置,且第一棒体的延伸方向与第二棒体的延伸方向垂直。利用该外在手性超构表面结构调制圆偏振光反射强度的方法是在特定方向圆偏振光倾斜入射时,仅改变第一棒体的长度参数便能够在特定波长下调控特定旋性圆偏振光的反射强度,并能够保持另一种圆偏振光的反射强度基本不变,从而可以实现自旋选择的高阶灰度成像,具有结构设计方便,图像保密性高的优点。
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公开(公告)号:CN115586598A
公开(公告)日:2023-01-10
申请号:CN202211277533.5
申请日:2022-10-19
Applicant: 南开大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明提供了一种外在手性超构表面结构及调制圆偏振光反射强度的方法,涉及微纳光学技术领域,本发明提供的外在手性超构表面结构由多个基体结构单元组成,基体结构单元包括第一金属层、电介质层和第二金属层;第二金属层包括沿电介质层的表面延伸的第一棒体和第二棒体,第一棒体与第二棒体间隔设置,且第一棒体的延伸方向与第二棒体的延伸方向垂直。利用该外在手性超构表面结构调制圆偏振光反射强度的方法是在特定方向圆偏振光倾斜入射时,仅改变第一棒体的长度参数便能够在特定波长下调控特定旋性圆偏振光的反射强度,并能够保持另一种圆偏振光的反射强度基本不变,从而可以实现自旋选择的高阶灰度成像,具有结构设计方便,图像保密性高的优点。
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