-
公开(公告)号：CN100446180C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200510015748.X
申请日：2005-10-28
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用。以非晶硅为初始材料，通过浸沾含有金属离子的溶液诱导产生大晶粒多晶硅。将盐或碱溶于酒精、水或其他溶液，从溶液中取出的非晶硅薄膜表面上会形成一层均匀的液膜。经甩干、自然风干、或在100℃烘箱中烘干，或置于盐可以快速结晶或分解为氧化物的温度加热后，再在400℃-600℃温度下退火；在加温退火过程中先形成晶化诱导点，以诱导点为中心辐射横向诱导晶化成晶粒尺寸在10-200微米量级的多晶硅。通过控制镍浓度、甩干速度、升温过程，可控制晶粒的大小。本发明可用于制备低温多晶硅薄膜晶体管、半导体集成电路或MEMs中的多晶硅栅等技术领域。
-
公开(公告)号：CN100419959C
公开(公告)日：2008-09-17
申请号：CN200510015747.5
申请日：2005-10-28
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用。它是碟形晶畴多晶硅薄膜，由取向不同的扇形子晶畴组成，每个子晶畴中的晶体具有相同的结晶取向，晶畴中的晶体为连续晶界晶体，晶畴之间具有整齐的对撞晶界；晶畴的平均直径50～100微米；厚度30nm-500nm。采用有机碱进行PH值调节的低浓度镍盐溶液为浸沾溶液，非晶硅薄膜表面浸沾在该溶液中，控制无电电镀镍的量。水洗去掉多余的沉淀物。在氮气的保护下，550-590℃下退火。本发明具有良好的晶体结构和高迁移率，成本低廉，适合制备平板显示器基板和面阵传感器中的多晶硅TFT。适合于大面积衬底大批量生产高质量多晶硅薄膜，是具有重要产业应用价值的技术。
-
公开(公告)号：CN1794424A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510015748.X
申请日：2005-10-28
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用。以非晶硅为初始材料，通过浸沾含有金属离子的溶液诱导产生大晶粒多晶硅。将盐或碱溶于酒精、水或其他溶液，从溶液中取出的非晶硅薄膜表面上会形成一层均匀的液膜。经甩干、自然风干、或在100℃烘箱中烘干，或置于盐可以快速结晶或分解为氧化物的温度加热后，再在400℃－600℃温度下退火；在加温退火过程中先形成晶化诱导点，以诱导点为中心辐射横向诱导晶化成晶粒尺寸在10－200微米量级的多晶硅。通过控制镍浓度、甩干速度、升温过程，可控制晶粒的大小。本发明可用于制备低温多晶硅薄膜晶体管、半导体集成电路或MEMs中的多晶硅栅等技术领域。
-
公开(公告)号：CN1773676A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200510015747.5
申请日：2005-10-28
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明涉及浸沾法金属诱导碟形晶畴多晶硅薄膜材料及制备和应用。它是碟形晶畴多晶硅薄膜，由取向不同的扇形子晶畴组成，每个子晶畴中的晶体具有相同的结晶取向，晶畴中的晶体为连续晶界晶体，晶畴之间具有整齐的对撞晶界；晶畴的平均直径50～100微米；厚度30nm－500nm。采用有机碱进行pH值调节的低浓度镍盐溶液为浸沾溶液，非晶硅薄膜表面浸沾在该溶液中，控制无电电镀镍的量。水洗去掉多余的沉淀物。在氮气的保护下，550－590℃下退火。本发明具有良好的晶体结构和高迁移率，成本低廉，适合制备平板显示器基板和面阵传感器中的多晶硅TFT。适合于大面积衬底大批量生产高质量多晶硅薄膜，是具有重要产业应用价值的技术。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.015 seconds)
