公开(公告)号：CN115207221A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210705006.3

申请日：2022-09-07

Applicant: 南开大学

Inventor： 丁毅 ,  韩梅斗雪 ,  王雅 ,  赵均陶 ,  王荣波 ,  侯国付 ,  赵颖 ,  张晓丹

IPC: H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48

Abstract: 发明提供一种对钙钛矿太阳电池空穴传输层的掺杂方法，钙钛矿太阳电池所使用的空穴传输材料为硫氢酸亚铜(CuSCN)，所述掺杂方法是向CuSCN中掺入硫氢酸锂(LiSCN)。本发明通过该掺杂方法，可有效提高空穴传输特性，从而提高钙钛矿太阳电池的器件性能。同时将掺杂后的空穴传输层应用于钙钛矿太阳电池中，对太阳电池的开路电压、短路电流密度、填充因子、光电转换效率都有显著的提升作用；本发明提出的空穴传输层掺杂方法为制备高效的钙钛矿太阳电池提供了一个广阔前景。

公开(公告)号：CN119365035A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411294496.8

申请日：2024-09-14

Applicant: 南开大学

Inventor： 丁毅 ,  张嘉为 ,  王荣波 ,  王雅 ,  赵均陶 ,  钟杏苑 ,  侯国付 ,  赵颖 ,  张晓丹

IPC: H10K71/12 ,  H10K71/40 ,  H10K30/30 ,  H10K30/57 ,  H10K85/50

Abstract: 本发明涉及光电功能材料与器件技术领域，提供一种基于2D钙钛矿限域定向生长的钙钛矿光活性层制备方法、太阳电池及制备方法，通过甲酸甲脒调节钙钛矿主体的晶粒尺寸，并在晶界处产生缝隙；通过硫氰酸铅进行初步钝化，成膜过程中，硫氰酸根释放后在晶界处形成碘化铅；采用胍基碘进行后处理，在晶界处与碘化铅反应，实现2D钙钛矿的限域定向生长。本发明在双掺杂产生晶界缝隙以及完成碘化铅初步钝化的基础上，采用胍基碘进行后处理可以有效改善薄膜质量，同时提高器件的光电转换效率与填充因子，获得高效稳定的钙钛矿单结太阳电池以及钙钛矿/有机叠层太阳电池。