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公开(公告)号：CN113644167A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202111079745.8
申请日：2021-09-15
Applicant: 南开大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明提供一种用于隧穿氧钝化接触（TOPCon）晶硅太阳电池的激光退火制备多晶硅基合金方法，其具体制备过程为：沉积非晶硅基合金薄膜；利用激光扫描非晶硅基合金薄膜，使之退火形成多晶硅基合金薄膜薄膜；将上述样品放在退火炉里，并通入一定的含氢气体，在较高温度下保持一段时间进行补氢；在一次补氢后的样品沉积一定厚度Al2O3层；最后将上述样品再次放在退火炉中，在一定气氛中、一定温度下保持一段时间，进行二次补氢。本发明采用高能量密度的激光退火实现非晶硅基合金薄膜的快速晶化形成多晶硅合金薄膜，相对传统的热退火能够显著缩短退火时间，有利于提高生产效率，节约生产成本。
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