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公开(公告)号:CN109582073B
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN201910029777.3
申请日:2019-01-14
Applicant: 南开大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种半周期电容比例可编程带隙基准电路,属于集成电路设计领域。所述的半周期电容比例可编程带隙基准电路,可以减少功耗,降低噪声,使电路的应用范围更广。由启动电路、结电压生成电路、采样保持电路和时钟生成电路组成,采样保持电路采用可编程电容比例电路,半周期工作机制,由非对称两相不交叠时钟控制,对结电压生成电路输出的晶体管发射结电压进行乘法与加法运算,输出可编程基准电压。本发明提供的电路能够在外部信号控制下,输出不同的基准源电压,可应用于各种模拟集成电路、数模混合集成电路和集成系统。
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公开(公告)号:CN109582073A
公开(公告)日:2019-04-05
申请号:CN201910029777.3
申请日:2019-01-14
Applicant: 南开大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种半周期电容比例可编程带隙基准电路,属于集成电路设计领域。所述的半周期电容比例可编程带隙基准电路,可以减少功耗,降低噪声,使电路的应用范围更广。由启动电路、结电压生成电路、采样保持电路和时钟生成电路组成,采样保持电路采用可编程电容比例电路,半周期工作机制,由非对称两相不交叠时钟控制,对结电压生成电路输出的晶体管发射结电压进行乘法与加法运算,输出可编程基准电压。本发明提供的电路能够在外部信号控制下,输出不同的基准源电压,可应用于各种模拟集成电路、数模混合集成电路和集成系统。
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公开(公告)号:CN209182729U
公开(公告)日:2019-07-30
申请号:CN201920058153.X
申请日:2019-01-14
Applicant: 南开大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种半周期电容比例可编程带隙基准电路,属于集成电路设计领域。所述的半周期电容比例可编程带隙基准电路,可以减少功耗,降低噪声,使电路的应用范围更广。由启动电路、结电压生成电路、采样保持电路和时钟生成电路组成,采样保持电路采用可编程电容比例电路,半周期工作机制,由非对称两相不交叠时钟控制,对结电压生成电路输出的晶体管发射结电压进行乘法与加法运算,输出可编程基准电压。本实用新型提供的电路能够在外部信号控制下,输出不同的基准源电压,可应用于各种模拟集成电路、数模混合集成电路和集成系统。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN210402325U
公开(公告)日:2020-04-24
申请号:CN201922016898.2
申请日:2019-11-21
Applicant: 南开大学
IPC: G06F12/02
Abstract: 一种基于块序列表的NAND闪存垃圾回收电路。该基于块序列表的NAND闪存垃圾回收电路,可用于大容量固态硬盘控制器,在各种信息计算和处理领域具有广泛的应用,能够有效改善固态硬盘读写时的内存消耗,提高块擦除效率。所述的基于块序列表的NAND闪存垃圾回收电路由控制电路、块序列表、存储器状态监测电路、垃圾回收管理电路、数据更新电路和块序列表更新电路组成。本实用新型提供的基于块序列表的NAND闪存垃圾回收电路,利用块序列表来记录数据块的擦除次数、块相对更新时间和数据块中无效页的比例,对存储空间的垃圾回收进行管理,具有内存开销小、垃圾回收效率高和均衡磨损性能好等特点。
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