一种原位生长纳米氢化镁负载高比表面材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106865497B

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201710163650.1

    申请日:2017-03-17

    Applicant: 南开大学

    Abstract: 一种原位生长纳米氢化镁负载高比表面材料的制备方法,利用碱金属氢化物、卤化镁和支撑材料在球磨的条件下原位合成。本发明的技术效果是:本发明通过置换反应在支撑材料表面原位生成氢化镁,在温和条件下制备了具有较低操作温度、较快吸放氢速率的纳米复合储氢材料,解决了以往制备纳米氢化镁材料制备条件苛刻、产品粒径大等问题,提高氢化镁储氢材料的热力学、动力学性能。

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