公开(公告)号：CN120041939A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202510176316.4

申请日：2025-02-18

Applicant: 南开大学

Inventor： 齐鹏飞 ,  钱文启 ,  刘海毅 ,  林列 ,  刘伟伟

IPC: C30B33/02 ,  C09K11/88 ,  C09K11/68 ,  C30B33/00 ,  C30B29/64 ,  C30B29/40 ,  C30B29/46

Abstract: 本发明公开了一种基于退火生长的二维材料中气泡的可控制备方法。首先通过机械剥离和干法转移工艺制备二维材料异质结构样品，然后将样品置于温度控制台中，按照预设的温度和时间程序进行1～4次退火处理。退火过程中，存在于异质结构层中的初始微小气泡在热作用下逐渐合并成更大的气泡，并最终稳定下来。通过原子力显微镜和发光扫描成像，可对退火后的样品进行表征，分析气泡的尺寸、形态和分布，以及气泡引入的局部应变对二维材料激子发射能量的影响。本发明的方法通过控制退火条件，实现了气泡的尺寸和形态的精确调控，优化了二维材料的晶体结构，减少了缺陷，提高了材料的晶体质量，还引入了局部应变，显著改变了材料的电子和光学性质。