公开(公告)号：CN107340611A

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201710531673.3

申请日：2017-06-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘伟民 ,  范飞 ,  常胜江

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明公开了一种激光热处理硅基PVA薄膜光控太赫兹波调制器，通过将PVA薄膜旋涂在高阻硅基底上，利用强连续激光对其进行表面热处理后，器件可在不同调制激光功率的控制下实现对太赫兹波强度的灵敏调制，调制深度随着调制光功率的提高而增大，当调制光功率密度超过2W/cm2时，调制深度达到99％以上，激光热处理时间越长，在相同调制光功率条件下达到的调制深度越高，处理时间达到120s以上时，调制深度达到饱和，本发明的工作频段为0.1-1.6THz。

公开(公告)号：CN107340611B

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201710531673.3

申请日：2017-06-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 刘伟民 ,  范飞 ,  常胜江

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明公开了一种激光热处理硅基PVA薄膜光控太赫兹波调制器，通过将PVA薄膜旋涂在高阻硅基底上，利用强连续激光对其进行表面热处理后，器件可在不同调制激光功率的控制下实现对太赫兹波强度的灵敏调制，调制深度随着调制光功率的提高而增大，当调制光功率密度超过2W/cm2时，调制深度达到99％以上，激光热处理时间越长，在相同调制光功率条件下达到的调制深度越高，处理时间达到120s以上时，调制深度达到饱和，本发明的工作频段为0.1‑1.6THz。