公开(公告)号：CN118641590A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410573862.7

申请日：2024-05-10

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 任青颖 ,  陈曦 ,  张贤宇 ,  李卫 ,  许杰 ,  姚佳飞 ,  牛永安

IPC: G01N27/12 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域，公开了一种自修复的气体传感器及其制作方法，此气体传感器包括气敏单元和发光单元，其中，气敏单元，其包括第一硅衬底，设置于所述第一硅衬底顶表面的氧化硅层，以及设置于所述氧化硅层顶表面的气敏电极，所述第一硅衬底和氧化硅层的中部具有贯穿腔；发光单元，设置于所述第一硅衬底的底表面，其包括第二硅衬底和设置于所述第二硅衬底中部区域的自修复发光阵列及加热发光阵列；所述自修复发光阵列和加热发光阵列均位于所述贯穿腔内；本发明中的气体传感器结构简单，一体性高，利用特定气敏材料的自修复性实现自修复，具有操作简单，稳定性好，使用寿命长的特点。