一种基于氧化锡/钙钛矿异质结的两端型光电神经突触器件

    公开(公告)号:CN115734620A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202211547521.X

    申请日:2022-12-05

    Abstract: 本发明公开了基于氧化锡/钙钛矿异质结的两端型光电神经突触器件,属于神经形态计算领域。该器件从下往上是:底电极、电子传输层、光电响应层、空穴传输层和顶电极;光电响应层为钙钛矿薄膜,电子传输层为氧化锡薄膜,该器件在无需外加偏压的情况下能模拟神经突触功能。在该结构中,钙钛矿膜致密,吸光性能好,在光的刺激下能产生大量的载流子,而氧化锡膜用于传输电子,在氧化锡膜中,也易于形成氧空位,能有效捕获电子。因此该结构既能保证光生载流子的大量产生,又能对产生的载流子进行有效捕获,确保器件突触权重的累积效应以及记忆性能,使突触权重动态范围达到了14.3,整流比为~300,为目前在这些性能指标上最优异的两端型光电神经突触器件。

    一种钙钛矿光伏组件及其封装装置

    公开(公告)号:CN119173059A

    公开(公告)日:2024-12-20

    申请号:CN202411226468.2

    申请日:2024-09-03

    Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿光伏组件及其封装装置,涉及光伏组件技术领域,其上POE胶膜的四周延伸部分向下折叠后能够一体的粘压包覆在所述背板、底部POE胶膜、电池芯片的四周边缘,可以有效的提高光伏组件电池的封装性能,保证边缘的密封能力,上POE胶膜的一体结构可以保证密封性能,保证层压边缘处的防渗水以及防裂隙能力,提高热压压合封装效果;封装装置,在封装时,上POE胶膜边折压机构能够实现对电池片的封装热压压合的同时,还能够实现对上POE胶膜的粘压包覆,使得上POE胶膜的四周延伸部分向下折叠后以热压的方式一体的粘压包覆在所述背板、底部POE胶膜、电池芯片的四周边缘,提高整体的封装能力与封装性能。

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