公开(公告)号：CN108321158B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN201810318635.4

申请日：2018-04-11

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陆颢瓒 ,  高秦昌 ,  戴瑞萍 ,  王德波

IPC: H10B10/00 ,  H01L29/423 ,  H01L21/70

Abstract: 本发明公开了基于光电器件的静态随机存取存储单元及其制备方法，该静态随机存取存储单元的结构主要由发光二极管、光敏二极管、电源、光纤传输线组成；其中，PD1~PD4为光敏二极管，LD1、LD2为激光二极管。利用读/写1/写2三条IO光纤进行数据的读写，并控制存储单元的状态。本发明利用二极管进行存储功能，相比于传统的静态随机存取存储，其二极管工艺也具备高集成度的优点，利用光纤作为信号连接线，具有激光读写的高速度、高抗干扰、抗噪声等优点，同时可以兼容新兴的光处理器。

公开(公告)号：CN108321158A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810318635.4

申请日：2018-04-11

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陆颢瓒 ,  高秦昌 ,  戴瑞萍 ,  王德波

IPC: H01L27/11 ,  H01L29/423 ,  H01L21/70

Abstract: 本发明公开了基于光电器件的静态随机存取存储单元及其制备方法，该静态随机存取存储单元的结构主要由发光二极管、光敏二极管、电源、光纤传输线组成；其中，PD1~PD4为光敏二极管，LD1、LD2为激光二极管。利用读/写1/写2三条IO光纤进行数据的读写，并控制存储单元的状态。本发明利用二极管进行存储功能，相比于传统的静态随机存取存储，其二极管工艺也具备高集成度的优点，利用光纤作为信号连接线，具有激光读写的高速度、高抗干扰、抗噪声等优点，同时可以兼容新兴的光处理器。

公开(公告)号：CN208240681U

公开(公告)日：2018-12-14

申请号：CN201820505115.X

申请日：2018-04-11

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陆颢瓒 ,  高秦昌 ,  戴瑞萍 ,  王德波

IPC: H01L27/11 ,  H01L29/423 ,  H01L21/70

Abstract: 本实用新型公开了基于光电器件的静态随机存取存储单元，该静态随机存取存储单元的结构主要由发光二极管、光敏二极管、电源、光纤传输线组成；其中，PD1~PD4为光敏二极管，LD1、LD2为激光二极管。利用读/写1/写2三条IO光纤进行数据的读写，并控制存储单元的状态。本实用新型利用二极管进行存储功能，相比于传统的静态随机存取存储，其二极管工艺也具备高集成度的优点，利用光纤作为信号连接线，具有激光读写的高速度、高抗干扰、抗噪声等优点，同时可以兼容新兴的光处理器。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利