面向5G/6G射频前端芯片的低损耗非对称片上开关

    公开(公告)号:CN116633336A

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202310584750.7

    申请日:2023-05-22

    Abstract: 本发明公开面向5G/6G射频前端芯片的低损耗非对称片上开关,属于基本电子电路的技术领域。该非对称片上开关包括:第一射频端口、第一开关臂、第二开关臂、第二射频端口、第三射频端口,通过第一开关臂中接入的第一并联谐振单元与第二开关臂接入的第二并联谐振单元组成耦合谐振结构,利用第二并联谐振单元的并联谐振实现高阻态,降低第二开关臂加载效应对第一开关臂损耗的影响,第二开关臂还可接入多级低通单元或多级耦合谐振拓扑改善开关带宽,同时实现非对称开关的低损耗、超宽带、高隔离和小型化。

    一种面向5G的高选择性多阶IPD滤波器

    公开(公告)号:CN116455353A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310421187.1

    申请日:2023-04-19

    Abstract: 本发明公开了一种面向5G的高选择性多阶IPD滤波器,涉及射频集成电路设计技术领域,包括第一至第N谐振器和两个馈电结构,两个馈电结构分别与第一谐振器、第N谐振器一一连接,N≥2,谐振器包括一个两端开路的电感和至少一个接地电容,接地电容加载在两端开路的电感的任意开路端;相邻的谐振器以第一耦合方式或第二耦合方式互连,这两种耦合方式交替出现;第一耦合方式为:相邻的谐振器的两个两端开路的电感感性互耦,第二耦合方式为:相邻的谐振器的两个两端开路的电感的开路端容性互耦。谐振器还可以包括加载电容结构,加载电容结构的两端分别与电感的两个开路端电连接。本发明具有宽带高选择性,能够提高器件性能的同时减小滤波器的尺寸。

    一种2.5D多层频率选择表面

    公开(公告)号:CN113314850B

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202110498867.4

    申请日:2021-05-08

    Abstract: 本发明公开了一种2.5D多层频率选择表面,包括自上而下依次层叠的多层条带集总电阻的吸波层、空气层和金属反射层,吸收层包括第一介质板、第二介质板、第一FSS层、第二FSS层和第三FSS层,第一介质板与第二介质板压合而成,第一介质板位于第二介质板上,第一FSS层位于第一介质板上表面、第二FSS层位于第一介质板的下表面,第三FSS层位于第二介质板下表面。本发明能有效地保证带内高于‑1dB的强反射特性,具有较高的稳定性。

    一种低雷达散射截面的贴片天线
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114336085A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111647683.6

    申请日:2021-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种低雷达散射截面的贴片天线,包括全金属地板、介质板、吸收体阵列、天线馈线和辐射贴片,全金属地板呈上、下两层阶梯状,介质板设置在下阶梯的上表面,吸收体阵列印制在介质板上,吸收体阵列的高度与上阶梯的高度齐平,吸收体阵列上设有介质,金属馈线和辐射贴片设置在介质上,辐射贴片设置在下阶梯的上方,天线馈线设置在上阶梯的上方,天线馈线与辐射贴片连接,吸收体阵列是由M×N个尺寸相同的吸收体单元组成。本发明实现了对天线辐射性能的提升。

    一种具有同相反射相位的微波吸收体

    公开(公告)号:CN114336084A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111647681.7

    申请日:2021-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种具有同相反射相位的微波吸收体,包括第一介质板和第二介质板,第一介质板设置在第二介质板上,第一介质板的上表面印刷有金属谐振器结构,第二介质板的下表面印刷有全金属地面;金属谐振器结构包括第一谐振器结构和第二谐振器结构,第二谐振器结构设置在第一谐振器结构内,第一谐振器结构和第二谐振器结构的形状相同,第一谐振器结构为正方形或者圆形的金属;第二谐振器结构的内侧设有四个中心对称排布的梯形金属贴片,四个梯形金属贴片与第二谐振器结构分别通过金属线实现电连接,每个金属线的中间设有一个集总贴片电阻,四个集总贴片电阻是中心对称的。本发明实现了具有同相反射相位的多功能微波吸收体结构。

    多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关

    公开(公告)号:CN117060912A

    公开(公告)日:2023-11-14

    申请号:CN202310975612.1

    申请日:2023-08-03

    Abstract: 本发明公开多电感共地的片上毫米波单刀双掷射频开关,涉及射频集成电路设计技术,属于基本电子电路的技术领域。该开关包括:第一射频端口、第二射频端口、第三射频端口、第一开关臂、第二开关臂,两个开关臂中输出匹配电路的接入点分别连接有第一补偿电感、第二补偿电感,第一补偿电感、第二补偿电感和与第一射频端口连接的第一耦合电感复用接地的第二耦合电感,使用导通开关臂中开关管的耦合谐振的工作方式实现开关的低损耗,利用断开的开关臂产生新的耦合谐振产生了新的传输极点实现了宽带宽,实现开关小型化。

    一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器

    公开(公告)号:CN116566356A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310546348.X

    申请日:2023-05-15

    Abstract: 本发明公开了一种利用晶体管寄生电感效应的片上多模谐振器,涉及射频集成电路设计技术领域,包括第一射频端口、第二射频端口、晶体管组、补偿电容、补偿电感和第一至第N直流端口,晶体管组包括第一至第N晶体管,第一至第N晶体管依次串联连接的,串联方式是:第i晶体管的源极或者漏极与第i+1晶体管的源极或者漏极连接,N为大于等于1的自然数,1≤i<N。本发明使用有源晶体管代替传统谐振结构中的电容,可以在同一电路拓扑下实现多个工作频率;充分考虑晶体管导通时的寄生电感,并通过加载补偿电容使寄生电感与加载的电容产生谐振,提升关断抑制度。

    双圆极化反射阵天线及其辐射波束独立控制方法

    公开(公告)号:CN116435761B

    公开(公告)日:2024-02-06

    申请号:CN202310700441.1

    申请日:2023-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种双圆极化反射阵天线及其辐射波束独立控制方法,该天线包括圆极化天线馈源和双“S”型印刷金属条带反射阵列,所述圆极化天线馈源朝向双“S”型印刷金属条带反射阵列,所述圆极化天线馈源位于双“S”型印刷金属条带反射阵列的移相焦点;圆极化天线馈源发射球面电磁波,双“S”型印刷金属条带反射阵列接收球面电磁波并反射为平面波。本发明提供的双圆极化反射阵天线,可同时反射左旋圆极化波和右旋圆极化波,在保证高增益辐射的前提下,实现了左旋圆极化波波束和右旋圆极化波辐射波束独立可控的特性。

    基于电容耦合的小型化多功能可重构开关芯片

    公开(公告)号:CN117118420A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202311105778.4

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本发明公开基于电容耦合的小型化多功能可重构开关芯片,属于基本电子电路的技术领域。该开关芯片包括J‑1个开关臂、J个射频端口,第一射频端口经输入匹配电路与支路电感的一端连接,支路电感的另一端接地,每个开关臂的输入端均与输入匹配电路和支路电感的连接点相连,每个开关臂的输出端连接一个射频端口,每个开关臂至少包含一个并联谐振单元,并联谐振单元通过级间耦合电感相连。本发明采用电容耦合结构实现片上谐振,通过控制晶体管栅极的高低电平来实现开关、功分器、关断等多种功能的可重构芯片,极大缩小芯片面积。

    一种三维波导型功率选择结构

    公开(公告)号:CN116666924B

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310927129.6

    申请日:2023-07-27

    Abstract: 本发明公开了一种三维波导型功率选择结构,涉及射频电路设计技术领域,包括N个三维单元结构,三维单元结构包括空心金属波导腔和至少1个插入空心金属波导腔的介质板,介质板上印刷有平面电路,三维单元结构沿着空心金属波导腔的金属壁的垂直方向周期延拓,N个三维单元结构组成周期阵列,其中,N≥9。本发明具有宽抑制频带、高选择性、具有耐击穿性和耐高温性的优点。

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