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公开(公告)号：CN108793111A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810748676.7
申请日：2018-07-10
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C01B25/08
CPC classification number: C01B25/08 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/50
Abstract: 本发明公开了一种快速制备磷化钴的方法及其产品，由氯化钴CoCl2·6H2O钴源和次亚磷酸钠NaH2PO2·H2O磷源为原料，称取适量比例的原料溶于去离子水中混合形成前驱液，再与表面活性剂经水热反应一段时间，经离心清洗后制备得到磷化钴。本发明提供的一种快速制备磷化钴的方法及其产品，采用一步水热法制备出磷化钴Co2P产物的理想反应时间为3h，实验反应1h后就出现预期产物，但结晶度低，随着反应时间的延长，晶体生长完整且颗粒均匀，制备工艺简单、成本低，结晶度较高，反应时间短，有可重复性，便于快速获得多面体组成的球形结构的磷化钴。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108249481A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810285762.9
申请日：2018-04-03
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C01G39/06
CPC classification number: C01G39/06 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/20
Abstract: 本发明公开了一种一步水热法制备二硫化钼，以五氯化钼(MoCl5)和二乙基二硫代氨基甲酸钠((C2H5)2NCSSNa·3H2O)为原料，以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为表面活性剂，配置的水溶液于水反应釜反应，并经过自然冷却后清洗即可得到空心的MoS2微米片材料。本发明通过简单传统的水热法制得具有特殊形貌、比表面积较大、催化活性位点较多、电催化析氢性能较好的MoS2空心微米片材料，其原理简单，反应步骤少，过程简洁，操作方便，设备需求少，反应条件低，具有制备高效，无污染，成本低等优点，具有很强的实用性和广泛的适用性。
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公开(公告)号：CN108793111B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201810748676.7
申请日：2018-07-10
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C01B25/08
Abstract: 本发明公开了一种快速制备磷化钴的方法及其产品，由氯化钴CoCl2·6H2O钴源和次亚磷酸钠NaH2PO2·H2O磷源为原料，称取适量比例的原料溶于去离子水中混合形成前驱液，再与表面活性剂经水热反应一段时间，经离心清洗后制备得到磷化钴。本发明提供的一种快速制备磷化钴的方法及其产品，采用一步水热法制备出磷化钴Co2P产物的理想反应时间为3h，实验反应1h后就出现预期产物，但结晶度低，随着反应时间的延长，晶体生长完整且颗粒均匀，制备工艺简单、成本低，结晶度较高，反应时间短，有可重复性，便于快速获得多面体组成的球形结构的磷化钴。
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公开(公告)号：CN108441833B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201810269246.7
申请日：2018-03-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种多层透明导电膜及其制备方法，在室温下采用磁控溅射方法制备，包括溅射准备、靶材预溅射、底层靶材射频溅射、中间Ag层直流溅射、顶层靶材射频溅射步骤，其中底层和底层采用射频磁控溅射方法制备，中间Ag层采用直流磁控溅射方法制备，且在溅射中间Ag层时，在溅射气体氩气中通入适量的氧气作为反应气体，并通过流量计控制氧气与氩气的流量比例，通入的氧气有效地改善了Ag纳米颗粒的生长过程，使得生长在底层上的Ag纳米颗粒井然有序且连续性佳，从而改善了Ag层的形貌，降低了Ag层对光的吸收；由上述方法制备的多层透明导电膜，表面电阻降低，导电性和透光性提高。
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公开(公告)号：CN108914077A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810870166.7
申请日：2018-08-02
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Nb2O5的透明导电氧化物薄膜及其制备方法，该薄膜由衬底、底部金属氧化物薄膜层、中间金属层和顶部金属氧化物薄膜层组成，其中，衬底为玻璃，底部金属氧化物薄膜层为采用射频磁控溅射方法沉积的Nb2O5层，中间金属层为采用直流磁控溅射的方法沉积的Ag层，顶部金属氧化物薄膜层为采用射频磁控溅射方法沉积的ZnO层，底部金属氧化物薄膜层和顶部金属氧化物薄膜层的厚度均为35～55nm，中间金属层的厚度为8～20nm。该薄膜不仅价格低廉、无毒环保，而且是在室温下制备，无需加热，简化了制备工艺，具备取代传统的ITO被广泛应用在光电材料技术领域的可能。
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公开(公告)号：CN108441833A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810269246.7
申请日：2018-03-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种多层透明导电膜及其制备方法，在室温下采用磁控溅射方法制备，包括溅射准备、靶材预溅射、底层靶材射频溅射、中间Ag层直流溅射、顶层靶材射频溅射步骤，其中底层和底层采用射频磁控溅射方法制备，中间Ag层采用直流磁控溅射方法制备，且在溅射中间Ag层时，在溅射气体氩气中通入适量的氧气作为反应气体，并通过流量计控制氧气与氩气的流量比例，通入的氧气有效地改善了Ag纳米颗粒的生长过程，使得生长在底层上的Ag纳米颗粒井然有序且连续性佳，从而改善了Ag层的形貌，降低了Ag层对光的吸收；由上述方法制备的多层透明导电膜，表面电阻降低，导电性和透光性提高。
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