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公开(公告)号：CN110661172A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910938647.1
申请日：2019-09-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01S5/40
Abstract: 本发明提供了一种表面发射的DFB半导体激光器阵列及制作方法，将边发射DFB半导体激光器或激光器阵列的出光方向通过一定的结构转换为表面发射的，能够充分利用PWB技术在芯片横向平面上的高分辨率，便于三维聚合物波导的设计和制作，提高激光器阵列与SOI波导阵列集成的耦合效率和综合性能，有利于大规模硅基光子集成芯片的生产和应用；表面发射可以在不解理的情况下对激光器阵列芯片进行测试和挑选，过滤掉一些性能不满足要求的激光器，提高了集成芯片的处理和制作效率。
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