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发明公开
一种单片集成两段式DFB激光器芯片及阵列审中-实审

公开(公告)号：CN116487993A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310501758.2

申请日：2023-05-05

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张云山 , 徐逸帆 , 顾鸿鸣 , 赵同飞 , 李连艳 , 郭燕婷 , 邹辉

IPC: H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/40

Abstract: 本发明公开了一种单片集成两段式DFB激光器芯片及阵列，其中，单片集成两段式DFB激光器芯片包括芯片本体；所述芯片本体包括结构共用的DFB激光器段和光栅反射器段；所述DFB激光器段和光栅反射器段具有不同的布拉格波长；其中，DFB激光器阵列包括多个DFB激光器芯片；各DFB激光器芯片的DFB激光器段的自由端面并列设置；各DFB激光器芯片的DFB激光器段具有不同的布拉格波长。本发明能够获得具有失谐加载效应的单片集成两段式DFB激光器芯片，以及具有不同布拉格波长的DFB激光器阵列。

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