公开(公告)号：CN117238903A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311163150.X

申请日：2023-09-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  谢明远

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/12 ,  H01L33/00 ,  G01N21/76

Abstract: 本发明涉及一种用于微流控物质检测的悬空GaN基LED器件及其制备方法。所述用于微流控物质检测的悬空GaN基LED器件包括：第一GaN基LED结构，包括第一衬底、第一缓冲层、第一GaN基器件层、以及第一空腔，第一空腔贯穿第一衬底、第一缓冲层和部分的第一GaN基器件层；第二GaN基LED结构，包括第二衬底、第二缓冲层、第二GaN基器件层、以及第二空腔，第二空腔贯穿第二衬底、第二缓冲层和部分的第二GaN基器件层；第一GaN基LED结构位于第二GaN基LED结构上方，且第一衬底与第二衬底连接，第一空腔与第二空腔连通。本发明扩展了可见光通信技术和微流控物质检测技术的应用领域。

公开(公告)号：CN110364599A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910692269.3

申请日：2019-07-30

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 施政 ,  谢明远 ,  王永进

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开了一种面向多传输的背发光二极管阵列，从下往上的结构依次为硅衬底层、外延缓冲层、n-GaN层、量子阱层和p-GaN层，所述n-GaN层的上表面形成下台面，所述p-GaN层的上表面形成上台面，所述n-GaN层和p-GaN层通过量子阱层相连，所述下台面上设置有用于所有单元并联共用的n-电极，所述上台面上设置有p-电极，所述上下台面、n-电极、p-电极和量子阱层构成p-n结量子阱器件。本发明利用GaN的材料、下台特性，通过专业工艺实现多模块控制，采用回流焊技术与衬底结合实现多模块传输信息，该器件可用于通信、显示以及传感等领域。

公开(公告)号：CN119966519A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202411888796.9

申请日：2024-12-20

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  綦子骞 ,  谢明远 ,  王林宁 ,  刘鹏展

IPC: H04B10/40 ,  H04B10/516

Abstract: 本发明涉及一种基于硅基GaN光电子集成芯片的片上光通信装置。所述基于硅基GaN光电子集成芯片的片上光通信装置包括主处理结构、发射结构、接收结构和硅基GaN光电子集成芯片；主处理结构包括编码电路、调制电路、解码电路和解调电路；发射结构连接主处理结构；硅基GaN光电子集成芯片连接发射结构和接收结构，包括光发射器、光接收器和第一光波导；接收结构连接主处理结构和硅基GaN光电子集成芯片。本发明扩展了光通信技术的应用领域，片上集成的方式也有助于改善光通信的质量，从而实现对光通信装置性能的改善。

公开(公告)号：CN110071204A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201910328596.0

申请日：2019-04-23

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 施政 ,  谢明远 ,  倪曙煜 ,  王永进

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明提供了一种用于透明显示屏的发光二极管及其制备方法。所述用于透明显示屏的发光二极管包括：外延层，包括下接触层、量子阱层和上接触层，所述下接触层包括下台面以及凸设于所述下台面表面的上台面，所述量子阱层位于所述上台面；绝缘层，覆盖于所述外延层表面，所述绝缘层中包括第一开口和第二开口；透明电极，自所述第二开口延伸至覆盖所述下台面的绝缘层表面，所述透明电极包括填充于所述第二开口内的第一端部以及与所述第一端部相对的第二端部；第一电极，填充于所述第一开口；第二电极，覆盖于所述第二端部表面。本发明提高了发光二极管的出光效率，进而有效改善了透明显示屏的显示质量。