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公开(公告)号：CN116111012A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211412638.7
申请日：2022-11-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种可调控偏振发光模式的发光二极管，依次连接的p型电极、第一p型半导体层、第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层、衬底层和n型电极，所述p型电极、n型电极与第一p型半导体层的长度相等，第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层与衬底层的长度相等。本发明发光二极管通过改变结构使出射光以TM偏振光为主，增大出射光的发光强。
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公开(公告)号：CN116111012B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202211412638.7
申请日：2022-11-11
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种可调控偏振发光模式的发光二极管，依次连接的p型电极、第一p型半导体层、第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层、衬底层和n型电极，所述p型电极、n型电极与第一p型半导体层的长度相等，第二p型半导体层、第一InGaN势阱层、第一GaN势垒层、第二InGaN势阱层、第二GaN势垒层、第三InGaN势阱层、第三GaN势垒层、第四InGaN势阱层、第四GaN势垒层、n型半导体层与衬底层的长度相等。本发明发光二极管通过改变结构使出射光以TM偏振光为主，增大出射光的发光强。
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公开(公告)号：CN114583031A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210099338.1
申请日：2022-01-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种基于LSPs耦合增强的紫外Micro‑LED，包括有源区、p型AlGaN层和金属纳米颗粒结构；所述有源区设置于p型AlGaN层下方；所述p型AlGaN层包括基材和多个栅柱，各栅柱等距设置在基材上，相邻的栅柱之间形成光栅槽；所述金属纳米颗粒结构设置于光栅槽内，所述金属纳米颗粒结构的高度为50nm‑90nm。本发明能够实现有源区的共振耦合，当金属纳米颗粒的高度为90nm时，有源区附近电场强度增强相对值为1.7，相比于现有的紫外Micro‑LED，具备更高的内量子效率，因而可以提升本申请的发光效率。
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公开(公告)号：CN114583031B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210099338.1
申请日：2022-01-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供一种基于LSPs耦合增强的紫外Micro‑LED，包括有源区、p型AlGaN层和金属纳米颗粒结构；所述有源区设置于p型AlGaN层下方；所述p型AlGaN层包括基材和多个栅柱，各栅柱等距设置在基材上，相邻的栅柱之间形成光栅槽；所述金属纳米颗粒结构设置于光栅槽内，所述金属纳米颗粒结构的高度为50nm‑90nm。本发明能够实现有源区的共振耦合，当金属纳米颗粒的高度为90nm时，有源区附近电场强度增强相对值为1.7，相比于现有的紫外Micro‑LED，具备更高的内量子效率，因而可以提升本申请的发光效率。
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