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公开(公告)号：CN110078757B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201910438096.2
申请日：2019-05-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种芳基硅有机光电材料及其制备方法与应用，所述制备方法是将3‑溴‑9H咔唑与二苯基二氯硅烷在低温下反应，得到化合物双（3‑溴‑9H‑咔唑‑9‑基）二苯基硅烷中间体，再将中间体与正丁基锂反应，然后加入氯代三苯基硅烷，制得芳基硅有机光电材料DSiDCzSi。本发明易于纯化，合成产率高，具有良好的热稳定性、溶解性及成膜性，同时还具有较高的三线态能级；此外，利用本发明芳基硅有机光电材料制备的溶液处理的电致发光器件，具有较高的外量子效率、较低的启亮电压以及稳定的电致发光性能，本发明对发展低成本且高效稳定的有机发光二极管具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110407874A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910677228.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于咔唑单元为核心四苯基硅烷修饰的新型芳基膦有机光电材料，本发明结合膦基和硅基光电功能材料的优点，以咔唑为核心，将二苯基膦氧/硫单元与四苯基硅烷单元连接到咔唑中心核上，得到具有优异光电性能的两个材料DPOSi和DPSSi，以这两个材料所制得的蓝光磷光电致发光器件（PhOLEDs）取得了较高的器件性能，最高外量子效率达到20.8%。
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公开(公告)号：CN109912654A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910162030.5
申请日：2019-03-04
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07F9/655 , C07F9/6553 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 本发明揭示了一种基于二苯并呋喃/二苯并噻吩单元的芳基膦硫有机光电材料及其制备方法与应用，该类材料的结构式中R1为二苯基膦硫，R2为氢原子或二苯基膦硫。该类材料以具有高三线态能级的二苯并呋喃/二苯并噻吩为给体单元，二苯基膦硫作为受体单元取代二苯并呋喃/二苯并噻吩的3位或3、6位，得到具有给受体结构的单边/双边取代的结构。该类材料具有易于纯化、合成产率高、良好的热稳定性、溶解性及成膜性，同时具有高的三线态能级；通过引入二苯基膦硫基团可以赋予材料优异的空穴传输和电子传输能力，是一种具有双极传输性质的新型高性能光电功能材料；利用本发明材料制备的电致发光器件，具有较高的效率和稳定的电致发光性能。
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公开(公告)号：CN110407874B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910677228.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于咔唑单元为核心四苯基硅烷修饰的新型芳基膦有机光电材料，本发明结合膦基和硅基光电功能材料的优点，以咔唑为核心，将二苯基膦氧/硫单元与四苯基硅烷单元连接到咔唑中心核上，得到具有优异光电性能的两个材料DPOSi和DPSSi，以这两个材料所制得的蓝光磷光电致发光器件（PhOLEDs）取得了较高的器件性能，最高外量子效率达到20.8%。
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公开(公告)号：CN110078757A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910438096.2
申请日：2019-05-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种芳基硅有机光电材料及其制备方法与应用，所述制备方法是将3-溴-9H咔唑与二苯基二氯硅烷在低温下反应，得到化合物双（3-溴-9H-咔唑-9-基）二苯基硅烷中间体，再将中间体与正丁基锂反应，然后加入氯代三苯基硅烷，制得芳基硅有机光电材料DSiDCzSi。本发明易于纯化，合成产率高，具有良好的热稳定性、溶解性及成膜性，同时还具有较高的三线态能级；此外，利用本发明芳基硅有机光电材料制备的溶液处理的电致发光器件，具有较高的外量子效率、较低的启亮电压以及稳定的电致发光性能，本发明对发展低成本且高效稳定的有机发光二极管具有重要意义。
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