公开(公告)号：CN115513376A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211113305.4

申请日：2022-09-14

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王一如 ,  聂诗淼 ,  凌海峰 ,  解令海

IPC: H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明属于半导体技术和神经形态硬件领域，具体涉及一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法。本发明所述异质结突触晶体管，从下至上依次为衬底（1）、栅电极（2）、栅绝缘层（3）、电荷俘获层（4）、P/N异质结（5）和源漏电极（6）。所述的P/N异质结分为P型半导体层和N型半导体层两层。本发明利用制备的P/N异质结结构以及电荷俘获层实现异质结突触晶体管的双极性特性，即异质结突触晶体管既能实现N型特性也能实现P型特性。并且在异质结突触晶体管双极性的基础上，通过P/N异质结和电荷俘获层的协同或者竞争作用，结合单极性电压的调控方法，能够实现器件单极性电压的可调控制。

公开(公告)号：CN117202673A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202311285064.6

申请日：2023-10-07

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王一如 ,  扈云飞 ,  聂诗淼 ,  凌海峰 ,  解令海

IPC: H10K10/46 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15

Abstract: 本发明公开基于氮氧自由基小分子的突触晶体管器件及其制备和应用，属于半导体技术和神经形态硬件领域。在突触晶体管器件的栅绝缘层和P型半导体层之间设有电荷俘获层，电荷俘获层由氮氧自由基小分子材料制备。通过引入氮氧自由基小分子材料可以实现线性增加的电子存储窗口；氮氧自由基材料基于自身的氧化还原特性可实现电压调制下的缓慢动力学过程，将其作为突触晶体管器件的电荷俘获层材料，可利用其在电压调制下缓慢氧化的动力学过程实现对沟道电导的精细调控，从而实现器件层面高线性度的电子写入，为高精度神经形态计算提供可能。