公开(公告)号：CN113030802A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110200722.1

申请日：2021-02-23

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 祝冉冉 ,  徐礼磊 ,  周家伟 ,  陶志阔

IPC: G01R33/06

Abstract: 本发明提供一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，由下至上依次为源极、GaN层和AlGaN势垒层，所述GaN层和AlGaN势垒层之间异质结界面设有2DEG，所述AlGaN势垒层的两端分别设有漏极，所述AlGaN势垒层的上部设有栅极，所述GaN层由下至上依次为源层、N型GaN漂移层、电流阻断层和GaN外延层，所述电流阻断层中部设有穿孔层。通过结合水平结构和垂直结构器件的优势，使传感器相对灵敏度可高达237.04％/T(栅电压为0V，漏电压为5V时)，相比于同类型的磁场传感器，具备更高的相对灵敏度；电流沿着垂直方向从源极流向漏极，能有效缩小器件的尺寸，符合器件小型化的需求。

公开(公告)号：CN113030802B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202110200722.1

申请日：2021-02-23

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 祝冉冉 ,  徐礼磊 ,  周家伟 ,  陶志阔

IPC: G01R33/06

Abstract: 本发明提供一种基于类CAVET晶体管结构的高灵敏度磁场传感器，由下至上依次为源极、GaN层和AlGaN势垒层，所述GaN层和AlGaN势垒层之间异质结界面设有2DEG，所述AlGaN势垒层的两端分别设有漏极，所述AlGaN势垒层的上部设有栅极，所述GaN层由下至上依次为源层、N型GaN漂移层、电流阻断层和GaN外延层，所述电流阻断层中部设有穿孔层。通过结合水平结构和垂直结构器件的优势，使传感器相对灵敏度可高达237.04％/T(栅电压为0V，漏电压为5V时)，相比于同类型的磁场传感器，具备更高的相对灵敏度；电流沿着垂直方向从源极流向漏极，能有效缩小器件的尺寸，符合器件小型化的需求。