含中性铱配合物的二极管有机电存储器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN105679786B

    公开(公告)日:2018-09-18

    申请号:CN201610049396.8

    申请日:2016-01-25

    Abstract: 本发明公开了一种二极管有机电存储器件及其制备方法,该有机电存储器件采用单层结构ITO/中性铱配合物/Al,器件以ITO导电玻璃作为衬底和阳极,中性铱配合物作为活性介质层,Al作为金属阴极层,构成三明治结构;该器件具有良好的存储效果,启动电压最低至‑0.5V,最大开关电流比达到104;具有良好的产率和稳定性,在‑0.5V的外加电压下,ON态和OFF态的读取脉冲均可以稳定地达到105次的循环,以及3000s内的稳定维持;结构设计简单,操作简便,成本低廉,有利于大规模批量生产;还可以通过在主配体中引入N、P等主族元素之后,实现从FLSH型存储向WORM型存储的转变,改变了器件的存储效果。

    含中性铱配合物的二极管有机电存储器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN105679786A

    公开(公告)日:2016-06-15

    申请号:CN201610049396.8

    申请日:2016-01-25

    CPC classification number: H01L51/0085 H01L27/28 H01L51/0011

    Abstract: 本发明公开了一种二极管有机电存储器件及其制备方法,该有机电存储器件采用单层结构ITO/中性铱配合物/Al,器件以ITO导电玻璃作为衬底和阳极,中性铱配合物作为活性介质层,Al作为金属阴极层,构成三明治结构;该器件具有良好的存储效果,启动电压最低至-0.5V,最大开关电流比达到104;具有良好的产率和稳定性,在-0.5V的外加电压下,ON态和OFF态的读取脉冲均可以稳定地达到105次的循环,以及3000s内的稳定维持;结构设计简单,操作简便,成本低廉,有利于大规模批量生产;还可以通过在主配体中引入N、P等主族元素之后,实现从FLSH型存储向WORM型存储的转变,改变了器件的存储效果。

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