小型宽带低温共烧陶瓷威尔金森功率分配器

    公开(公告)号:CN108695584A

    公开(公告)日:2018-10-23

    申请号:CN201810245548.0

    申请日:2018-03-23

    Abstract: 一种小型宽带低温共烧陶瓷威尔金森功率分配器,包括LTCC基板和七个传输级;LTCC基板在垂直方向上分为十三层;所述七个传输级分别位于所述LTCC基板的奇数层上,并在垂直方向上堆叠设置;所述LTCC基板的相邻奇数层上设置的传输级之间通过位于所述相邻奇数层之间的偶数层进行隔离,且所述偶数层中设置有对应的具有离地间隙的垂直过孔,所述LTCC基板的相邻奇数层上设置的传输级之间通过对应的所述垂直过孔连接。上述的方案,可以减小威尔金森功率分配器所占用的电路面积,缩小威尔金森功率分配器的尺寸。

    一种新型结构的宽频带垂直叉指电容

    公开(公告)号:CN108428980A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810251150.8

    申请日:2018-03-26

    Abstract: 本发明公开了一种新型结构的宽频带垂直叉指电容,其中,所述电容以低温共烧陶瓷为基地,被设计成8层方形结构;所述电容为垂直叉指电容,由8节叉指构成,即8层方形结构的每一层为1节叉指,每节叉指分别位于第1至8层;所述叉指相对的两个侧面中央分别设有端口1和端口2;所述端口1和端口2的右端设置有垂直过孔;从端口1方向看,第2、4、6、8节叉指电容的开路端通过垂直过孔连接;从端口2方向看,第1、3、5、7节叉指电容的开路端通过垂直过孔连接。本发明所述的一种新型结构的宽频带垂直叉指电容(WBVIC)抑制了频率响应中的杂散,提高了100%的带宽。同时,电容能力提高了20%,但Q值没有降低。

    一种具有高性能电容、电感的LTCC正交型耦合器

    公开(公告)号:CN108347229A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201810225057.X

    申请日:2018-03-19

    CPC classification number: H03H1/00 H03H7/0115 H03H2001/0085

    Abstract: 本发明公开了一种拓扑结构由杂散抑制型垂直叉指电容和八边形三维螺旋电感构成的具有高性能电容、电感的LTCC正交型耦合器,拓扑结构包括端口1、端口2、端口3和端口4,杂散抑制型垂直叉指电容与八边形三维螺旋电感之间通过微带线连接;杂散抑制型垂直叉指电容包括电容C1、电容C2、电容C3和电容C4,八边形三维螺旋电感包括电感L1、电感L2和电感L3,电感L2一端与电容C1和电容C3的一端连接,电容C1的另一端连接端口1,电容C3的另一端链接端口3,另一端与电容C2和电容C4的一端连接,电容C2的另一端连接端口2,电容C4的另一端连接端口4;电感L1设置在所述端口1和端口2之间,电感L3设置在所述端口3和端口4之间;本发明实现了耦合器的小型化。

    一种新型结构的杂散抑制型垂直叉指电容

    公开(公告)号:CN108492984A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201810224129.9

    申请日:2018-03-19

    CPC classification number: H01G4/30 H01G4/005 H01G4/12 H01G4/232

    Abstract: 本发明公开了一种新型结构的杂散抑制型垂直叉指电容,其特征在于:所述电容被设计成8层方形结构,从俯视角度可分为上侧面、下侧面、左侧面和右侧面共四个侧面;所述左侧面设有端口1,所述下侧面设有端口2;所述电容具有八节方形叉指,分别位于第1至8层;所述上侧面利用垂直过孔与过孔连结柱连接第1、3、5、7节叉指的不相邻开路端;所述右侧面利用垂直过孔与过孔连接柱连接第2、4、6、8节叉指的不相邻开路端。本发明有成本低,成品率高,可靠性高,耐高温,更适合于恶劣环境等优点;同时抑制了频率响应中的杂散尖峰,提高了100%的可用带宽;并且在保证Q值的同时,提高了约20%电容值,进一步实现了电容的小型化。

    一种采用交叉金丝键合线的慢波结构功分器

    公开(公告)号:CN108461885A

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201810245231.7

    申请日:2018-03-23

    CPC classification number: H01P5/16

    Abstract: 本发明公开了一种采用交叉金丝键合线的慢波结构功分器,包括对称设置的第一分支线结构和第二分支线结构,以及电阻R,第一分支线结构和第二分支线结构包括相同预设置数量的电容,以及起连接作用和产生电感的金丝键合线,第一分支线结构还包括置有第一端口和第二端口,第二分支线结构还包括有第一端口和第三端口,第一端口处设置有第一传输线,第一传输线与第一分支线结构和第二分支线结构之间通过金丝键合线连接;同样,第二端口和第三端口处设置有第二传输线,且第二端口通过第二传输线连接第一分支线结构,第三端口通过第二传输线连接第二分支线结构,电阻R贴设于第二传输线上;本发明实现了功分器的小型化,具有很好的谐波抑制效果。

    一种威尔金森功分器
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108400418A

    公开(公告)日:2018-08-14

    申请号:CN201810245224.7

    申请日:2018-03-23

    Abstract: 本发明公开了一种威尔金森功分器,包括对称设置的第一分支线结构、第二分支线结构以及用于通信的第一端口、第二端口和第三端口,第一分支线结构和第二分支线结构内设置有电容、金丝键合线、第一传输线以及第二传输线;第一分支线结构和第二分支线结构内部设置有相同数量且对称的电容和金丝键合线,第一分支线结构由内部的电容通过金丝键合线级联形成,第二分支线结构由内部的电容通过金丝键合线级联形成;第一传输线设置在第一端口位置处,第一端口通过第一传输线与第一分支线结构和第二分支线结构连接,所述第二传输线设置在所述第二端口和第三端口位置处;本发明既实现了良好的谐波抑制,又实现了功分器的小型化。

    一种采用新拓扑结构的小型化正交型LTCC耦合器

    公开(公告)号:CN108347230A

    公开(公告)日:2018-07-31

    申请号:CN201810224659.3

    申请日:2018-03-19

    Abstract: 本发明公开了一种采用新拓扑结构的小型化正交型LTCC耦合器,耦合器采用新型拓扑结构形成,拓扑结构由电容C1、电容C2、电容C3和电感L1、电感L2、电感L3、电感L4组成,同时,拓扑结构设置有端口1、端口2、端口3和端口4四个端口,电容C1设置在端口1和端口2之间,电容C3设置在端口3和端口4之间,电感L1的一端连接电感L3,且两者连接处与电容C2的一端连接,电感L1的另一端连接端口1,电感L3的另一端连接端口3;电感L2的一端连接电感L4,且两者连接处与电容C2的另一端连接,电感L2的另一端连接端口2,电感L4的另一端连接端口4;本发明在有效扩宽耦合器带宽的同时实现了耦合器的小型化,同时具备高性能和高可靠性,成本低,可适应各种环境。

    小型窄带低温共烧陶瓷带通滤波器

    公开(公告)号:CN108565531A

    公开(公告)日:2018-09-21

    申请号:CN201810246842.3

    申请日:2018-03-23

    CPC classification number: H01P1/20

    Abstract: 一种小型窄带低温共烧陶瓷带通滤波器,包括LTCC基板和五个半波长谐振器;所述LTCC基板在垂直方向上分为九层,所述五个半波长谐振器在垂直方向上堆叠设置并分别位于所述LTCC基板的奇数层,所述LTCC基板的相邻奇数层之间的偶数层为隔离所述相邻奇数层上设置的半波长谐振器之间的宽边耦合效应的中间接地层。上述的方案,可以在实现带通滤波器的窄带带通特性的同时,减小电路尺寸。

    一种采用对称互补螺旋结构的小型化单元结构SSP-TL

    公开(公告)号:CN110071354B

    公开(公告)日:2021-06-01

    申请号:CN201910354463.0

    申请日:2019-04-29

    Abstract: 本发明公开了一种采用对称互补螺旋结构的小型化单元结构SSP‑TL,所述SSP‑TL包括金属传输线层和衬底基片,所述金属传输线层设置于所述衬底基片上表面,其中,所述金属传输线层包括第一传输线和第二传输线,所述第一传输线一端固定在所述衬底基片的左下角,采用螺旋式内绕的方式将第一传输线向上延伸至所述衬底基片顶部后向右延伸指定距离后,依次向下延伸、向左延伸至所述衬底基片中心;所述第二传输线一端固定在所述衬底基片的右上角,采用对称互补螺旋的方式与第一传输线的连接方式互补,延伸至衬底基片中心,第一传输线与第二传输线关于衬底基片的中心对称设置;本发明制备工艺简单,制备成本低;实现了色散的增强,提升了人工表面等离子体激元的性能。

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