Patent search ap:("南京邮电大学") AND inv:"毛文斌" Page 1

1.

发明公开
半导体相FeS超小纳米点的制备方法及其用途审中-实审

公开(公告)号：CN118005085A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311741387.1

申请日：2023-12-18

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 罗志敏 , 毛文斌 , 张颖 , 黄竹胜 , 汪联辉

IPC: C01G49/12 , B82Y40/00 , A61K41/00 , A61P35/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体相FeS超小纳米点的制备方法，其包括如下步骤：S1、制备金属相FeS超小纳米点；S2、将所述金属相FeS超小纳米点分散于含有柠檬酸钠的乙二醇中，在惰性气氛中进行高温水热反应后，将产物进行纯化，然后分散于超纯水中，得到所述半导体相FeS超小纳米点。本发明所述采用水热合成法制备简单、快捷高效、成本低、可重现性高、便于批量生产、操作安全，是一种快速合成半导体相FeS超小纳米点的方法。

Patent Agency Ranking