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公开(公告)号：CN112670087A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011431103.5
申请日：2020-12-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01G4/33 , H01L27/11507
Abstract: 本发明公开了一种应用于铁电储存器中使用的铁电薄膜电容，包括硅基底层、上电极层、铁电薄膜层以及下电极层，所述上电极层、铁电薄膜层以及下电极层依次设置于硅基底层上且在上电极层、下电极层与铁电薄膜层之间分别设置有缓冲层，在所述缓冲层与铁电薄膜层之间设置有隔离层，所述上电极层的上部设置有呈格栅状的金属互联，本发明引入隔离层，改善界面，减少了薄膜中氧空位的聚集程度，铁电薄膜的疲劳及保持性能得到了极大的改善。
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