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公开(公告)号：CN110104686A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910409692.8
申请日：2019-05-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C01G39/06
Abstract: 本发明公开了一种纳米管状二硫化钼的制备方法，方法具体采用CVD法进行二硫化钼制备，首先将指定量的S粉放置在CVD管式炉中指定的低温区中心，并将指定量的钼源放置在CVD管式炉中指定的高温区中心，同时将在酒精中经过超声波清洗的硅片放置在不同位置进行制备，其中，可将硅片埋于S粉中，或直接至于钼源正上方，或通过陶瓷块架高后至于钼源正上方；然后，在CVD管式炉中通入指定流速的惰性气体；最后，通过控制CVD管式炉中氩气流速、气压、反应物的量和硅片摆放的位置距离等条件，得到层数较薄、结构规则的纳米管状二硫化钼；本发明制备二硫化钼操作简单，而且成本低廉，效率高，得到的二硫化钼为规则的管状结构。
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