公开(公告)号：CN114914088A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210573974.3

申请日：2022-05-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 郭艳艳 ,  张冲 ,  张左 ,  樊奕 ,  赵江

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/005

Abstract: 本发明公开了一种高储能铌酸银陶瓷电容器及其制备方法，铌酸银陶瓷电容器中的铌酸银陶瓷材料为单一钙钛矿结构；室温下，铌酸银陶瓷材料的储能密度为2.4J/cm3～4.8J/cm3；制备方法包括：将Ag2O粉体和Nb2O5粉体依次进行球磨混合、烘干和压片，制得生坯；将生坯置于氧气中进行预烧，制得粗坯；将粗坯研磨粉碎，再依次进行球磨、烘干、造粒和大压力单轴压制成型，制得素坯；对素坯进行排胶，再置于氧气中烧结，制得陶瓷圆片；将陶瓷圆片打磨、抛光为陶瓷薄片，在陶瓷薄片的两面印刷银电极，并进行煅烧、冷却。本发明能够提高铌酸银陶瓷的储能性能。

公开(公告)号：CN114914088B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202210573974.3

申请日：2022-05-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 郭艳艳 ,  张冲 ,  张左 ,  樊奕 ,  赵江

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/005

Abstract: 本发明公开了一种高储能铌酸银陶瓷电容器及其制备方法，铌酸银陶瓷电容器中的铌酸银陶瓷材料为单一钙钛矿结构；室温下，铌酸银陶瓷材料的储能密度为2.4J/cm3～4.8J/cm3；制备方法包括：将Ag2O粉体和Nb2O5粉体依次进行球磨混合、烘干和压片，制得生坯；将生坯置于氧气中进行预烧，制得粗坯；将粗坯研磨粉碎，再依次进行球磨、烘干、造粒和大压力单轴压制成型，制得素坯；对素坯进行排胶，再置于氧气中烧结，制得陶瓷圆片；将陶瓷圆片打磨、抛光为陶瓷薄片，在陶瓷薄片的两面印刷银电极，并进行煅烧、冷却。本发明能够提高铌酸银陶瓷的储能性能。

公开(公告)号：CN116313515A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310230251.8

申请日：2023-03-10

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 郭艳艳 ,  樊奕 ,  张左 ,  胡海威 ,  赵江

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88

Abstract: 本发明公开了一种铌酸钠基无铅弛豫反铁电储能陶瓷电容器，所述无铅弛豫反铁电储能陶瓷的化学式为(1‑x)[0.76NaNbO3‑0.24(Bi0.5Na0.5)TiO3]‑xCaZrO3，其中x为摩尔百分比，x的取值满足电中性。本发明还公开一种铌酸钠基无铅弛豫反铁电储能陶瓷电容器制备方法。本发明提供的一种铌酸钠基无铅弛豫反铁电储能陶瓷电容器及其制备方法，通过在0.76NaNbO3‑0.24(Bi0.5Na0.5)TiO3中引入CaZrO3，能够通过加入CaZrO3来中和Na+和Bi3+的挥发，进一步的提高NN体系的反铁电性能，储能密度和储能效率，制备出的铌酸钠基无铅弛豫反铁电储能陶瓷电容器的极化强度为78μC/cm2，储能密度为2.4J/cm3，击穿场强为215kV/cm。

公开(公告)号：CN116283285A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310189031.5

申请日：2023-03-02

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 郭艳艳 ,  张左 ,  樊奕 ,  胡海威

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷，该陶瓷的化学式为AgNbxTa0.1O0.5+2.5x，其中的x为摩尔百分比，x的取值满足电中性。本发明还公开一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷制备方法。本发明提供的一种缺铌高储能铌酸银基无铅反铁电陶瓷及其制备方法，通过在铌位掺杂10％Ta5+的基础上，减少Nb5+的含量，制备出的高储能铌酸银基陶瓷兼具高储能密度(6.1J/cm3)、高储能效率(62％)、高击穿电场(317kV/cm)、高极化强度(54μC/cm2)的优势，能够降低掺杂离子的掺杂量，减少材料浪费，同时能够显著提高反铁电陶瓷储能性能。