公开(公告)号：CN105739135B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201610179774.4

申请日：2016-03-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈将伟 ,  宦杰 ,  杨晓霞 ,  陶志阔 ,  谢国治

IPC: G02F1/09 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明公开了利用低介电常数超材料制备的磁光隔离器，其结构式是：G2G1G2G1MG1G2G1G2G1G2G1G2G1，为一维单缺陷磁光光子晶体，其中，G1为厚度0.1210微米的五氧化二钛；G2为厚度0.3454微米的低介电常数超材料；M是厚度4.3462微米的掺铋钇铁石榴石。本发明旨在中心波长1.053微米附近实现克尔旋转角接近45°，能量反射率大于98％，且具有厚度薄(7.2657微米)、层数较少的特征。

公开(公告)号：CN105743338A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610179852.0

申请日：2016-03-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈将伟 ,  杨晓霞 ,  宦杰 ,  陶志阔 ,  谢国治

IPC: H02M1/44

CPC classification number: H02M1/44 ,  H02M2001/123

Abstract: 本发明公开了一种基于电磁损耗的开关电源共模干扰抑制器,抑制器电路采用集总元件的梯形网络形式，单元结构为串联电感线圈、并联电容器构成的低通电路。针对开关电源输出电缆?大地传导的、5?500MHz频率范围的共模电流，考虑到单元结构长度Pu要远小于共模电流波长以及电路制备的方便，取Pu≈1cm，电感线圈中填充磁导率实部、虚部均在10量级的以铁氧体为主要成分的复合磁性材料，电容器中填充介电常数实部、虚部均在10量级的复合介电材料。把共模干扰抑制器串联到开关电源的电缆上，由于抑制器具有较大的衰减系数，使得共模电流以指数形式迅速衰减，强烈地抑制后续电路中的共模电流。本发明结构简单、可方便地用于制备低电磁干扰的开关电源、改进已有电源的电磁兼容性能。

公开(公告)号：CN105739135A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610179774.4

申请日：2016-03-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈将伟 ,  宦杰 ,  杨晓霞 ,  陶志阔 ,  谢国治

IPC: G02F1/09 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明公开了利用低介电常数超材料制备的磁光隔离器，其结构式是：G2G1G2G1MG1G2G1G2G1G2G1G2G1，为一维单缺陷磁光光子晶体，其中，G1为厚度0.1210微米的五氧化二钛；G2为厚度0.3454微米的低介电常数超材料；M是厚度4.3462微米的掺铋钇铁石榴石。本发明旨在中心波长1.053微米附近实现克尔旋转角接近45°，能量反射率大于98％，且具有厚度薄(7.2657微米)、层数较少的特征。