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公开(公告)号：CN117784453A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410097269.X
申请日：2024-01-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明属于光电子集成技术领域，公开了一种高集成度低串扰薄膜铌酸锂电光调制器阵列，该阵列包括N个薄膜铌酸锂马赫增德尔电光调制器，N≥2，相邻的两调制器之间的信号间距为D，0.4mm≤D＜1mm，调制器自左至右包括输入光波导、分束器、信号输入区、调制器第一波导、调制器第二波导、射频电极、匹配电阻、合束器和输出光波导，调制器的横截面结构自下而上包括衬底层、低折射率下盖层、薄膜铌酸锂平板层、波导层、低折射率上盖层、射频电极和匹配电阻。本发明实现单个调制器的差分驱动，并且降低相邻调制器之间的电串扰，提高集成密度。
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