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公开(公告)号：CN110093591A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910281070.1
申请日：2019-04-09
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C23C16/30
Abstract: 本发明公开了一种二维过渡金属硫族化合物材料的制备方法，包括以下步骤：将MoO3和NaCl混合，并研磨；取混合物，以及Te粉末，将Te粉末单独放在一个容器中，放在气流上游的A温区中；将MoO3和NaCl混合物和硅基片放在另一个容器中，放在气流下游的B温区中；通入氩气和氢气作为载气，并通过加热炉加热，两个温区加热至不同的温度：A温区：加热到650℃后，恒温650℃保持40分钟；B温区：加热到670-710℃后，恒温670-710℃保持40分钟；加热结束后移开加热炉，冷却至室温后取出硅片，得到沉积在硅片上的MoTe2膜。本发明制备方法简便节能，显著降低了蒸发MoO3所需的温度，适合工业批量生产。
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