一种氰基调制的p-n同质结氮化碳@立方体银纳米复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN110339854A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201910783651.5

    申请日:2019-08-23

    Abstract: 本发明公开了一种氰基调制的p-n同质结氮化碳@立方体银纳米复合材料及其制备方法,该复合材料是由氰基调制的p-n同质结氮化碳与纳米银组成的二元复合材料,其中,由氰基调制的p-n同质结氮化碳为具有多孔的片状结构,纳米银具有立方体形貌,纳米银通过与氮化碳上的-C-N-,-C=N-化学键形成稳定的负载。本发明的纳米复合材料,由于氰基的强吸电子作用,同时显示了n型半导体和p型半导体的性质;另外,纳米立方体银强烈的表面等离子体共振效应和优良的导电性能,进一步促进的氮化碳的光响应范围。与未改性的氮化碳相比,该纳米复合材料在可见光条件下表现出了优异的光催化还原水中六价铬的活性,在重金属废水处理中具有应用前景。

    一种利用光催化原理杀灭霉菌的方法

    公开(公告)号:CN110464854B

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN201910840243.9

    申请日:2019-09-06

    Inventor: 魏昂 张欢欢 位威

    Abstract: 本发明公开了一种利用光催化原理杀灭霉菌的方法,通过可见光辐照具有霉菌亲和性且能被可见光激发的光催化剂,对萌发之后的霉菌孢子进行杀灭或抑制生长。可见光辐照光催化剂,对霉菌孢子无失活作用,但却可以杀灭萌发之后的霉菌。本发明选用具有霉菌亲和性且能被可见光激发的光催化剂,将孢子在基础培养基(MM)中孵育至萌芽状态,其原先孢子外壁进行重新组装,抵御外界环境变化能力减弱,在可见光照射下,经光催化剂作用6h后,萌发孢子的死亡率达到80%以上。黑暗中实验确定光催化剂几乎无毒,4次循环实验发现其稳定性较好。本发明简单、无毒,能较有效杀灭烟曲霉菌萌发之后的孢子,可应用于需要防霉及无菌环境的可见光杀菌。

    一种利用光催化原理杀灭霉菌的方法

    公开(公告)号:CN110464854A

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201910840243.9

    申请日:2019-09-06

    Inventor: 魏昂 张欢欢 位威

    Abstract: 本发明公开了一种利用光催化原理杀灭霉菌的方法,通过可见光辐照具有霉菌亲和性且能被可见光激发的光催化剂,对萌发之后的霉菌孢子进行杀灭或抑制生长。可见光辐照光催化剂,对霉菌孢子无失活作用,但却可以杀灭萌发之后的霉菌。本发明选用具有霉菌亲和性且能被可见光激发的光催化剂,将孢子在基础培养基(MM)中孵育至萌芽状态,其原先孢子外壁进行重新组装,抵御外界环境变化能力减弱,在可见光照射下,经光催化剂作用6h后,萌发孢子的死亡率达到80%以上。黑暗中实验确定光催化剂几乎无毒,4次循环实验发现其稳定性较好。本发明简单、无毒,能较有效杀灭烟曲霉菌萌发之后的孢子,可应用于需要防霉及无菌环境的可见光杀菌。

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