公开(公告)号：CN113314691B

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202110577125.0

申请日：2021-05-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈淑芬 ,  张文竹 ,  沈炜 ,  喻叶

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米晶薄膜及其成膜方法和应用，所述成膜方法通过多步交替滴涂和旋涂的方式制备钙钛矿纳米晶薄膜，提升钙钛矿纳米晶薄膜的覆盖率，保证膜层厚度，且基于该薄膜制备的LED的良品率大幅提升、发光颜色更纯、器件效率更高。

公开(公告)号：CN113314691A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110577125.0

申请日：2021-05-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 陈淑芬 ,  张文竹 ,  沈炜 ,  喻叶

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿纳米晶薄膜及其成膜方法和应用，所述成膜方法通过多步交替滴涂和旋涂的方式制备钙钛矿纳米晶薄膜，提升钙钛矿纳米晶薄膜的覆盖率，保证膜层厚度，且基于该薄膜制备的LED的良品率大幅提升、发光颜色更纯、器件效率更高。