基于脊间隙波导的可重构耦合器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115732880A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202211555696.5

    申请日:2022-12-06

    Inventor: 许锋 张亚丽

    Abstract: 本发明提供一种基于脊间隙波导的可重构耦合器,包括倒置微带线、脊间隙波导和若干用于调节耦合器的耦合度的重构组件,倒置微带线为脊间隙波导馈电,倒置微带线在上层,脊间隙波导在下层,脊间隙波导包括自上而下设置的上金属层、第二介质层和下金属层,上金属层采用对角线处有缝隙的方形,上金属层的四边分别设有向外延伸至倒置微带线的微带线,缝隙的两侧分别设有若干隔离槽,重构组件设于隔离槽处,且重构组件分别连接上金属层和下金属层;本发明能够实现快速简单地实现耦合器耦合度的调节,从而耦合器具有可重构性能。

    基于脊间隙波导的可重构耦合器

    公开(公告)号:CN115732880B

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202211555696.5

    申请日:2022-12-06

    Inventor: 许锋 张亚丽

    Abstract: 本发明提供一种基于脊间隙波导的可重构耦合器,包括倒置微带线、脊间隙波导和若干用于调节耦合器的耦合度的重构组件,倒置微带线为脊间隙波导馈电,倒置微带线在上层,脊间隙波导在下层,脊间隙波导包括自上而下设置的上金属层、第二介质层和下金属层,上金属层采用对角线处有缝隙的方形,上金属层的四边分别设有向外延伸至倒置微带线的微带线,缝隙的两侧分别设有若干隔离槽,重构组件设于隔离槽处,且重构组件分别连接上金属层和下金属层;本发明能够实现快速简单地实现耦合器耦合度的调节,从而耦合器具有可重构性能。

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