公开(公告)号：CN113215549A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110498532.2

申请日：2021-05-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 宫代丽 ,  成宏卜 ,  张伟 ,  胡芳仁 ,  张雪花

IPC: C23C14/58 ,  H01L21/477 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/46

Abstract: 本发明公开了一种基于射频磁控溅射的锆钛酸钡薄膜退火方法，属于锆钛酸钡制备技术领域，以钛酸锶为基体，溅射钌酸锶材料作为衬底，利用磁控溅射技术将其溅射到基体表面，然后利用锆钛酸钡靶材溅射锆钛酸钡材料镀在表面，其中锆钛酸钡靶材中锆含量为20mol.％。钌酸锶电极沉积的过程中，采用混合气氛溅射得到薄膜，锆钛酸钡薄膜沉积的过程中，采用混合气氛溅射，得到膜厚为280nm，溅射结束后，对样品进行保温处理，之后取出部分样品进行退火处理；本申请通过退火工艺有效增强了锆钛酸钡薄膜衍射峰的强度，改善锆钛酸钡薄膜的结晶性，进而提高了薄膜质量，其铁电性能明显提升。