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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105119587B
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201510543569.7
申请日：2015-08-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K3/02
Abstract: 本发明公开了一种磁损自动测试平台及其使用的正弦激励信号源，其中，磁损自动测试平台包括功率分析仪、上位机、正弦激励信号源、功率放大器等。功率分析仪采集被测磁芯激励电压和频率等信息，并将其监测的电压、电流、功率信号反馈给上位机，上位机根据监测结果实时调节正弦激励信号源，通过功率放大器产生功率信号，使测试磁性工作在期望的范围。正弦激励信号源包括型号为STC89C52的单片机、型号为AD9834的DDS芯片、型号为AD5620的DAC芯片、第一电阻、第二电阻、75MHz的晶振。本发明适用于磁损自动测试平台电路的设计，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103745124B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410035463.1
申请日：2014-01-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种不同截面积磁芯损耗计算方法：首先在给定的工作频率、磁通密度变化量条件下分离磁滞损耗和涡流损耗，然后通过计算实际工程中选用的磁芯与产品规格书中测试磁芯的截面积差异，将这种差异计入到涡流损耗的计算中。本发明的优点是物理概念清晰，计算过程简单，无需依赖专门仪器即可有效分析不同截面积对磁芯损耗的影响，可广泛适用于仿真软件模拟在电力电子应用中不同截面积磁芯的损耗大小。
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公开(公告)号：CN103745124A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410035463.1
申请日：2014-01-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明公开了一种不同截面积磁芯损耗计算方法：首先在给定的工作频率、磁通密度变化量条件下分离磁滞损耗和涡流损耗，然后通过计算实际工程中选用的磁芯与产品规格书中测试磁芯的截面积差异，将这种差异计入到涡流损耗的计算中。本发明的优点是物理概念清晰，计算过程简单，无需依赖专门仪器即可有效分析不同截面积对磁芯损耗的影响，可广泛适用于仿真软件模拟在电力电子应用中不同截面积磁芯的损耗大小。
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公开(公告)号：CN105119587A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510543569.7
申请日：2015-08-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K3/02
Abstract: 本发明公开了一种磁损自动测试平台及其使用的正弦激励信号源，其中，磁损自动测试平台包括功率分析仪、上位机、正弦激励信号源、功率放大器等。功率分析仪采集被测磁芯激励电压和频率等信息，并将其监测的电压、电流、功率信号反馈给上位机，上位机根据监测结果实时调节正弦激励信号源，通过功率放大器产生功率信号，使测试磁性工作在期望的范围。正弦激励信号源包括型号为STC89C52的单片机、型号为AD9834的DDS芯片、型号为AD5620的DAC芯片、第一电阻、第二电阻、75MHz的晶振。本发明适用于磁损自动测试平台电路的设计，具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN204967774U
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201520658496.1
申请日：2015-08-28
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K3/02
Abstract: 本实用新型公开了一种正弦激励信号源，包括型号为STC89C52的单片机、型号为AD9834的DDS芯片、型号为AD5620的DAC芯片、第一电阻、第二电阻、75MHz的晶振，其中，单片机的第42脚、43脚、44脚分别和DAC芯片的第7脚、6脚、5脚连接；单片机的第35脚、36脚、37脚分别和DDS芯片的第15脚、14脚、13脚连接；75MHz的晶振和DDS芯片的第8脚连接；第一电阻的一端和DDS芯片的第1脚连接，另一端和DAC芯片的第4脚连接；第二电阻的一端和DDS芯片的第19脚连接，另一端接地。本实用新型通过单片机、DAC芯片、DDS芯片的组合，实现正弦激励信号的频率、幅值的可调。
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