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公开(公告)号:CN109755712A
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201910153897.4
申请日:2019-03-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/18
Abstract: 本发明涉及一种基于LTCC结构的切比雪夫二阶支线定向耦合器。该耦合器采用低温共烧陶瓷工艺,将电子器件集成化、模块化。并在器件小型化的同时降低其损耗,获得更高品质因数的技术。可以把LTCC技术比喻为多层PCB叠压在一起,利用通孔将上下电路连接。其中电容是利用上下层板之间形成MIM电容;电感则是利用上下层连接形成螺旋电感。这些由电容、电感及微带连接线构成各种金属图案,形成了各种微波器件。本发明实现了一种可以工作在4到5.4GHz频段上、中心频率为4.7GHZ的耦合器,不仅耦合良好,而且达到加工标准。满足隔离度优于-18dB,耦合度平稳在-10dB,尺寸为6.5毫米*4.2毫米*1.5毫米。充分结合了现代工艺技术达到小型化和宽带更宽的要求,具有一定的实用性。
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公开(公告)号:CN109921165B
公开(公告)日:2021-04-06
申请号:CN201910164040.2
申请日:2019-03-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明涉及一种集总参数IPD宽带耦合器,包括两层基板和一层集成LC宽带耦合器;所述的两层基板是第一层砷化镓介质基板和第二层SiNx介质基板;本发明利用集总参数等效电路的等效λ/4传输线,运用等效矩阵理论求得等效电路中的电感与电容值,充分利用工艺优势有效地减小尺寸;增加分支线数以达到增加带宽的目的;对于中心频率为4.7GHz的实物,其参数优于‑24dB;其参数优于‑40dB,耦合度差为正负0.5dB,尺寸为1mm*1.6mm,本发明具有集成度高、高性价比、小尺寸、低插入损耗、选频性能好、温度稳定性好等优点。
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公开(公告)号:CN109921165A
公开(公告)日:2019-06-21
申请号:CN201910164040.2
申请日:2019-03-05
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明涉及一种集总参数IPD宽带耦合器,包括两层基板和一层集成LC宽带耦合器;所述的两层基板是第一层砷化镓介质基板和第二层SiNx介质基板;本发明利用集总参数等效电路的等效λ/4传输线,运用等效矩阵理论求得等效电路中的电感与电容值,充分利用工艺优势有效地减小尺寸;增加分支线数以达到增加带宽的目的;对于中心频率为4.7GHz的实物,其参数优于-24dB;其参数优于-40dB,耦合度差为正负0.5dB,尺寸为1mm*1.6mm,本发明具有集成度高、高性价比、小尺寸、低插入损耗、选频性能好、温度稳定性好等优点。
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