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公开(公告)号：CN114944453A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210419379.4
申请日：2022-04-20
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 一种具有超高存储窗口的晶态TaOx阻变存储器及其制备方法，属于半导体薄膜及其阻变存储器技术领域。主要包括：1)处理(100)取向的单晶Si衬底；2）在衬底上通过磁控溅射法制备(222)取向的ITO底电极；3)在ITO底电极上通过射频反应磁控溅射法生长主晶向(100)、最大晶粒尺寸为30nm的晶态TaOx薄膜作电阻层；4）在电阻层上通过磁控溅射法沉积Ta电极。本发明制备了主晶向(100)、最大晶粒尺寸为30nm的晶态TaOx薄膜，薄膜晶体结构和晶粒尺寸俱佳，生长速度快，薄膜成分可控，以其为电阻层的晶态TaOx阻变存储器表现出超高的存储窗口、很低的操作电压和较强的耐久性，可以为晶态TaOx阻变存储器的商业化和工业化应用提供一定的技术指导。
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