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公开(公告)号：CN102810601A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210295185.4
申请日：2012-08-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种可以探测光子能量低于禁带宽度的近红外光的探测器结构的制备方法，首先在ITO衬底表面生长CdS纳米棒阵列；其次在CdS纳米棒阵列蒸镀纳米金；然后在纳米金表面蒸镀一层ITO作为顶电极；最后将金属材料在纳米尺度下独有的表面等离激元非辐射衰变时光生电效应及颗粒之间的近场耦合增强效应应用于近红外光的高效探测。本发明结构简单、操作便利，能够实现对入射光波长的选择性探测，无需制冷，应用前景广阔。
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