一种横向IGBT器件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118763101A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410824883.1

    申请日:2024-06-25

    Abstract: 本发明涉及半导体功率器件领域,特别涉及一种横向IGBT器件;本发明在传统CSL‑LIGBT基础上在半导体漂移区层引入了额外的铁电极化栅极,通过铁电材料的非易失性和极化场效应可实现对CSL区载流子浓度的动态调控;通过对铁电极化栅极施加不同的电压,实现对CSL区载流子浓度的实时可编程调节,从而灵活控制器件的电流、电压等多种特性参数,使器件的工作状态可动态优化,全面提升器件性能;本发明创新性地解决了传统LIGBT器件导通特性与开关特性难以兼顾的难题,在功率器件领域具有广阔的应用前景。

    一种基于图同构网络的信道状态信息室内定位方法

    公开(公告)号:CN119342414A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202411469666.1

    申请日:2024-10-21

    Inventor: 刘妍 景郦骐 颜俊

    Abstract: 本发明公开了一种基于图同构网络(GIN)的信道状态信息(CSI)室内定位方法。首先对CSI幅度测量中每个子载波进行局部离群因子(LOF)检测,去除CSI幅度测量值中的异常点。然后利用Morlet小波函数,得到CSI测量值的时频图,利用颜色映射构建CSI图像。接着基于CSI图像构建相应的图拓扑结构,通过SLIC算法对CSI图像进行超像素分割,进而实现节点选择和邻边关系构建,将节点的位置特征和颜色特征进行整合,构成特征矩阵。最后利用GIN进行分类学习,训练出最终的位置估计模型。该方法实现高效、可靠,可实现的优点。

    一种具有滞回特性的电源切换电路

    公开(公告)号:CN118554925A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410686638.9

    申请日:2024-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种具有滞回特性的电源切换电路,包括滞回模块、偏置模块、比较模块、开关组合以及使能控制电路;所述滞回模块,设置为对所述比较模块的输出信号产生电压迟滞量,避免在临界状态时产生振荡;所述偏置模块,设置为向所述比较模块提供偏置电流;所述比较模块,设置为由源端作为输入端的比较器结构;所述开关组合,设置为向输出信号VOUT切换较大的电源电压;所述使能控制电路,设置为在使能信号CE高电平有效时电源切换电路开始正常工作。本发明所设计的电源切换电路在工作电压较低的情况下,仍然保持稳定工作,且功耗低,响应速度快,精度高,翻转阈值电压可调、迟滞宽度可调。

    一种超低功耗的欠压保护电路
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118487220A

    公开(公告)日:2024-08-13

    申请号:CN202410582957.5

    申请日:2024-05-11

    Abstract: 本发明公开了一种超低功耗的欠压保护电路设计,涉及电源管理电路领域,该电路由耗尽管M1和M6以及其他增强管组成,耗尽管M1、M6采用栅源短接的接法提供稳定的电流偏置,通过增强管M5、M7和M8开启时的电源电压不同来产生迟滞效果;本发明的技术方案,通过阈值电压比较控制不同晶体管导通和关断从而实现电压翻转以及迟滞功能。该电路不需要其他模块提供基准偏置电压,而且避免使用电压比较器,简化电路的同时也减小了工艺失调对欠压保护模块精度与速度的影响,同时本发明使用全MOS晶体管实现,避免了使用电阻,减小了功耗,节省版图面积。本发明欠压保护电路结构简单易于实现,功耗低,并且实现欠压阈值、迟滞宽度可调,满足不同场景下的需求。

    一种双环路CMOS环形振荡器电路
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118554885A

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410686637.4

    申请日:2024-05-30

    Abstract: 本发明公开了一种双环路CMOS环形振荡器电路,包括第一反相器、第二反相器、施密特触发器、第三反相器、第九晶体管、第十晶体管构成的第一条振荡环路和第一反相器、第二反相器、施密特触发器、第一充放电电容,第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管构成的第二条振荡环路,两条振荡环路共同产生输出振荡信号,该电路结构输出的振荡信号频率可调节范围宽,占空比易于调节,且电路启动时间短,能满足实际应用的需求。

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