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公开(公告)号：CN113219558A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110527255.3
申请日：2021-05-14
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了材料和光电子技术领域的一种利用高介电常数复合材料实现光隔离的方法和器件。所述利用高介电常数复合材料实现光隔离的器件为一维单缺陷磁光光子晶体结构，其结构式为：G1G2G1G2G1G2MG1G2G1G2G1G2G1G2G1G2G1G2G1，其中：G1为低介电常数材料，G2为高介电常数复合材料，M是掺铋钇铁石榴石。本发明解决了现有反射型磁光多层膜隔离器设计受限于已有材料电磁参量的问题。与现有的、在中心波长1.053微米处实现光隔离的一维单缺陷磁光子晶体结构相比，本发明所得结构总膜层数较少，降低了实际制备难度，结构的总厚度约为5.1微米，方便光路集成。同时，上述利用高介电常数复合材料实现光隔离的器件易于设计优化反射型磁光多层膜隔离器性能。
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