一种基于混合耦合的宽阻带基片集成波导滤波器

    公开(公告)号:CN115395191B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202211095801.1

    申请日:2022-09-08

    Inventor: 储鹏 冯建国

    Abstract: 本发明公开了一种基于混合耦合的宽阻带基片集成波导滤波器,本发明采用多层基片堆叠的方式,相邻金属基片和相邻金属基片之间的金属化通孔阵列构成谐振腔,相邻谐振腔通过耦合孔组连接,使滤波器结构更加紧凑,更适合应用到现代微波毫米波集成电路系统中,并且设置的耦合孔组,不仅不会影响主模的耦合,同时还可以抑制高次模的耦合,从而达到延伸滤波器阻带的效果。

    一种多层基片集成的波导带通滤波器

    公开(公告)号:CN114824708B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202210449615.7

    申请日:2022-04-27

    Inventor: 储鹏 冯建国

    Abstract: 本发明公开了一种多层基片集成的波导带通滤波器,本发明采用多层基片堆叠的方式,相邻金属基片和相邻金属基片之间的金属化通孔阵列构成谐振腔,相邻谐振腔通过耦合缝隙连接,使滤波器结构更加紧凑,更适合应用到现代微波毫米波集成电路系统中,并且本发明的耦合缝隙设置,可以使主模能够完成磁耦合,抑制高次模,从而达到宽阻带的效果。

    一种基于混合电磁耦合的基片集成波导带通滤波器

    公开(公告)号:CN114937856B

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202210741242.0

    申请日:2022-06-28

    Inventor: 储鹏 朱鹏

    Abstract: 本发明公开了一种基于混合电磁耦合的基片集成波导带通滤波器,包括输入端口、输出端口、双折线接地共面波导结构和基片集成波导谐振腔。基片集成波导谐振腔包括介质基片、顶层金属、底层金属以及沿介质基片四周设置的贯穿顶层金属和底层金属的外围金属化通孔,外围金属化通孔围成的区域内设有多组共线的两列内部金属化通孔,共线的两列内部金属化通孔之间形成感性耦合窗,顶层金属上开设有位于感性耦合窗上方的双折线接地共面波导结构。本发明的滤波器具有结构简单、加工方便、插入损耗低、相对带宽大、频率选择性高以及频率响应灵活的特点,适合应用于现代微波电路领域。

    一种基于正交型耦合槽的双通带基片集成波导滤波器

    公开(公告)号:CN116231256A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310440346.2

    申请日:2023-04-23

    Inventor: 储鹏 罗梦劼

    Abstract: 本发明公开了一种基于正交型耦合槽的双通带基片集成波导滤波器,本发明采用多层基片堆叠的方式,相邻金属基片和相邻金属基片之间的金属化通孔阵列构成谐振腔,相邻谐振腔通过耦合孔组连接,使滤波器结构更加紧凑并保证电路整体的完整性,更适合应用到现代微波毫米波集成电路系统中,并且耦合孔组可以独立的耦合主模和第一阶高次模,达到独立控制双通带带宽的目的,同时还可以抑制第二阶高次模的耦合,达到增加带外抑制优化的效果。

    多层宽阻带基片集成波导滤波器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116231255A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202310397558.7

    申请日:2023-04-14

    Inventor: 储鹏 冯建国

    Abstract: 本发明公开了一种多层宽阻带基片集成波导滤波器,包括若干个顺次设置的金属基片,相邻金属基片之间设有介质基片;相邻金属基片,以及二者之间的介质基片上对应位置处均贯穿有金属化通孔阵列,构成谐振腔;位于同一层的谐振腔独立设置;位于不同层的谐振腔交错叠放,且通过缝隙阵列连接,其中,所述缝隙阵列平行于波导滤波器主模的磁场方向,且所述缝隙阵列设置在波导滤波器部分高次模的最弱磁场处,并垂直于波导滤波器部分高次模的磁场方向。本发明具有足够的阻带宽度,且易于集成。

    一种基于正交型耦合槽的双通带基片集成波导滤波器

    公开(公告)号:CN116231256B

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202310440346.2

    申请日:2023-04-23

    Inventor: 储鹏 罗梦劼

    Abstract: 本发明公开了一种基于正交型耦合槽的双通带基片集成波导滤波器,本发明采用多层基片堆叠的方式,相邻金属基片和相邻金属基片之间的金属化通孔阵列构成谐振腔,相邻谐振腔通过耦合孔组连接,使滤波器结构更加紧凑并保证电路整体的完整性,更适合应用到现代微波毫米波集成电路系统中,并且耦合孔组可以独立的耦合主模和第一阶高次模,达到独立控制双通带带宽的目的,同时还可以抑制第二阶高次模的耦合,达到增加带外抑制优化的效果。

    一种HMSIW双通带带通滤波器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118448827A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202410853684.3

    申请日:2024-06-28

    Inventor: 储鹏 安旭昌

    Abstract: 本发明公开了一种HMSIW双通带带通滤波器,本发明在相邻HMSIW腔体之间的金属基片上开设第一缝隙孔和第二缝隙孔,可独立耦合主模和第一高次模,实现独立控制双通带带宽的效果,并且本发明对HMSIW腔体进行切边处理和包边处理,达到半模谐振的目的,有效减少滤波器的尺寸,使滤波器具有易于加工、尺寸小、易于集成的优点。

    一种矩形波导滤波器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116960591A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202311035291.3

    申请日:2023-08-17

    Inventor: 储鹏 周嘉龙

    Abstract: 本发明公开了一种矩形波导滤波器,本发明双层空心波导,上下层各有2个空心波导构成4个矩形谐振腔,同层相邻空心波导通过作为耦合窗的第一耦合空心波导连通,使滤波器结构更加紧凑,损耗更低,更适合应用到现代微波毫米波电路系统中,上下相邻空心波导通过作为耦合窗的空心矩形波导、空心圆柱波导、第三耦合空心波导、第二耦合空心波导连通,由此设置的耦合窗,不仅不会影响主模TM110的耦合,同时还可以抑制高次模TM210的耦合,从而达到保持高选择性的同时延伸滤波器阻带的效果。

    一种多层基片集成的波导带通滤波器

    公开(公告)号:CN114824708A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210449615.7

    申请日:2022-04-27

    Inventor: 储鹏 冯建国

    Abstract: 本发明公开了一种多层基片集成的波导带通滤波器,本发明采用多层基片堆叠的方式,相邻金属基片和相邻金属基片之间的金属化通孔阵列构成谐振腔,相邻谐振腔通过耦合缝隙连接,使滤波器结构更加紧凑,更适合应用到现代微波毫米波集成电路系统中,并且本发明的耦合缝隙设置,可以使主模能够完成磁耦合,抑制高次模,从而达到宽阻带的效果。

    一种基于混合耦合的双通带基片集成波导滤波器

    公开(公告)号:CN116190951B

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202310440350.9

    申请日:2023-04-23

    Inventor: 储鹏 罗梦劼

    Abstract: 本发明公开了一种基于混合耦合的双通带基片集成波导滤波器,本发明采用多层基片堆叠的方式,相邻金属基片和相邻金属基片之间的金属化通孔阵列构成谐振腔,相邻谐振腔通过耦合孔组连接,使滤波器结构更加紧凑并保证电路整体的完整性,更适合应用到现代微波毫米波集成电路系统中,并且耦合孔组可以独立的耦合主模和高次模,达到独立控制双通带带宽的目的,同时主模的交叉电耦合通路可以通过圆孔实现,实现双通带的传输零点对称,使通带间的隔离性和带外抑制性更好。

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