公开(公告)号：CN112959233A

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202110246315.4

申请日：2021-03-05

申请人： 南京航空航天大学 ,  南京航空航天大学无锡研究院

发明人： 李军 ,  熊光辉 ,  李凯旋 ,  朱永伟 ,  左敦稳 ,  吴成 ,  于宁斌

IPC分类号： B24D13/00 ,  B24D3/00 ,  B24B29/00

摘要： 本发明公开一种固结磨料抛光垫及易潮解KDP晶体干式抛光方法，抛光方法为采用固结磨料抛光垫抛光KDP晶体、不使用液体抛光介质的干式固结磨料抛光，固结磨料抛光垫包含有磨粒、反应物、催化剂、固化剂和结合剂。抛光垫中反应物与KDP晶体发生固相化学反应，生成的过渡层在磨粒的机械作用下被去除，获得光滑表面。本发明解决了KDP晶体易潮解的问题，提高了KDP晶体的加工效率，简化了KDP晶体抛光工艺，同时还有环境友好，成本低等优点。

公开(公告)号：CN112959233B

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202110246315.4

申请日：2021-03-05

申请人： 南京航空航天大学 ,  南京航空航天大学无锡研究院

发明人： 李军 ,  熊光辉 ,  李凯旋 ,  朱永伟 ,  左敦稳 ,  吴成 ,  于宁斌

IPC分类号： B24D13/00 ,  B24D3/00 ,  B24B29/00

摘要： 本发明公开一种固结磨料抛光垫及易潮解KDP晶体干式抛光方法，抛光方法为采用固结磨料抛光垫抛光KDP晶体、不使用液体抛光介质的干式固结磨料抛光，固结磨料抛光垫包含有磨粒、反应物、催化剂、固化剂和结合剂。抛光垫中反应物与KDP晶体发生固相化学反应，生成的过渡层在磨粒的机械作用下被去除，获得光滑表面。本发明解决了KDP晶体易潮解的问题，提高了KDP晶体的加工效率，简化了KDP晶体抛光工艺，同时还有环境友好，成本低等优点。