公开(公告)号：CN111215745B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202010102274.7

申请日：2020-02-19

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈天宇 ,  顾明飞

IPC: B23K26/082 ,  B23K26/064 ,  B23K26/70

Abstract: 本发明公开了一种针对激光固结导电浆料的变工艺缺陷控制方法，其特征在于，依据电路的烧结特性对基体上用于成形电路的导电浆料采用变工艺的方式进行分阶段固结。本发明缺陷控制方法利用电路在低和高能量密度激光束下的烧结特性，低能量密度激光束烧结电路尽管内部不会产生气孔但是导电性能不理想，高能量密度激光束烧结电路尽管导电性能较理想但是内部会形成大量的气孔，结合两者的优势提出变工艺的固结方式来开展电路缺陷控制研究，通过变工艺的固结方式，有效减少了固结后电路结构中的气孔，提高了电路的导电性能，且本发明方法易于实现，适合推广使用。

公开(公告)号：CN111215745A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN202010102274.7

申请日：2020-02-19

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈天宇 ,  顾明飞

IPC: B23K26/082 ,  B23K26/064 ,  B23K26/70

Abstract: 本发明公开了一种针对激光固结导电浆料的变工艺缺陷控制方法，其特征在于，依据电路的烧结特性对基体上用于成形电路的导电浆料采用变工艺的方式进行分阶段固结。本发明缺陷控制方法利用电路在低和高能量密度激光束下的烧结特性，低能量密度激光束烧结电路尽管内部不会产生气孔但是导电性能不理想，高能量密度激光束烧结电路尽管导电性能较理想但是内部会形成大量的气孔，结合两者的优势提出变工艺的固结方式来开展电路缺陷控制研究，通过变工艺的固结方式，有效减少了固结后电路结构中的气孔，提高了电路的导电性能，且本发明方法易于实现，适合推广使用。