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公开(公告)号：CN119674153A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411674398.7
申请日：2024-11-21
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01M8/126
Abstract: 本发明公开了一种掺杂氧化铈电解质薄膜生长调节方法，其步骤为：将半电池置于Ce和X的可溶性盐溶液中，确使半电池的氧化锆基电解质与可溶性盐溶液接触，加入甲醇，转移至反应釜中，于一定温度下进行水热溶液结晶成膜，一段时间后形成掺杂氧化铈电解质陶瓷薄膜。本发明结合水热溶液结晶原位成膜技术，通过添加适宜含量的甲醇改变前驱液物理性质，比如极性、介电常数、表面张力等，精确控制电解质陶瓷薄膜掺杂元素的掺杂量，定向修饰晶粒尺寸及形貌。
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