公开(公告)号：CN113690145A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202111149055.5

申请日：2021-09-29

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈翔 ,  戴晨东 ,  熊云海 ,  许多 ,  李志

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/465 ,  H01L29/24 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明公开了一种二维Bi2O2Se薄膜厚度的调控方法，包括如下步骤：通过化学气相沉积方法在第一衬底上制得具有第一厚度的二维Bi2O2Se薄膜；采用等离子体刻蚀工艺将所述二维Bi2O2Se薄膜的厚度调控至第二厚度，其中，所述等离子体刻蚀工艺的刻蚀设备真空度为6.4×10‑4Pa，射频功率为120W，中和器电流为500mA，离子束电流范围为80mA至100mA，离子束电压为从200V至280V，Ar流量为10sccm，O2流量为6sccm，刻蚀时间为6‑20秒。该方法操作简单，重复性好，对二维Bi2O2Se薄膜材料实现均匀减薄。