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公开(公告)号：CN102148416A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010555904.2
申请日：2010-11-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明涉及一种微波毫米波超宽带六位MMIC(单片微波集成电路)数字移相器，该移相器由5.625°、11.25°、22.5°、45°、90°、180°相移单元电路级联构成，5.625°相移位采用高/低通滤波器型拓扑结构，11.25°、22.5°、45°、90°、180°相移位均采用反射型拓扑结构，该移相器以5.625°为相移步进值，在0～360°的范围内总共可实现64种相移状态；该发明首先单独设计每一种移相位的单元电路，在每一个单元电路设计完成之后，采取从高位相移到低位相移排列顺序六位级联实现微波毫米波超宽带六位MMIC数字移相器；由于MMIC具有电路损耗小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、附加效率高、抗辐射能力强等优点，使得本发明电路拓扑及设计简单，制造工艺简便，成本低，芯片面积小，电性能改善大，工作频率带宽，插入损耗小，相移精度高。
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公开(公告)号：CN102035493B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201010555932.4
申请日：2010-11-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: H03H7/12
Abstract: 本发明公开了一种带通/带阻式微型低温共烧陶瓷双工器，包括：带阻输入电感、带阻级间电感、带阻输出电感、带阻第一分支电感、带阻第二分支电感、带阻输入电容、带阻级间电容、带阻输出电容、带阻第一分支接地电容、带阻第二分支接地电容、带通输入电感、带通输出电感、带通第一分支电感、带通第二分支电感、带通输入电容、带通级间电容、带通输出电容、带通第一分支电容、带通第二分支电容、第一屏蔽接地层、第二屏蔽接地层以及通孔；所有元件基于低温共烧陶瓷工艺实现，在高性能陶瓷材料内部三维集成金属线条，空间配置灵活紧凑，本发明体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、相位频率特性线性变化、温度稳定性好，很好的满足了现代无线通信系统对于微型高性能微波双工器的需求。
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公开(公告)号：CN102055427A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010555911.2
申请日：2010-11-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: H03H7/03
Abstract: 本发明公开了一种微波毫米波超宽带低相移六位数字衰减器。它由0.5dB、1dB、2dB、4dB、8dB、16dB衰减单元级联组成，0.5dB/1dB衰减单元采用T型拓扑结构，2dB/4dB衰减单元采用∏型拓扑结构，8dB衰减单元采用两个∏型拓扑结构级联，16dB衰减单元采用开关式拓扑结构，衰减单元级联顺序依次为2dB、0.5dB、16dB、1dB、8dB、4dB，该衰减器的工作频率范围为2-18GHz，以0.5dB为步进值在0.5-31.5dB的衰减范围内可以实现64种衰减状态。本电路拓扑结构简单，设计简便，工艺难度小，各衰减态插入损耗小，相移小，衰减精度高，输入和输出端电压驻波比小，工作频带宽，电路尺寸小，控制简单，使用方便，便于采用微波单片集成电路工艺技术大批量生产。
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公开(公告)号：CN102111122A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010555891.9
申请日：2010-11-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: H03H11/00
Abstract: 本发明公开了一种新型的兼容数字式和模拟式的超宽带衰减器。当衰减变化时，相位补偿技术被应用于MMIC设计中，减少插入相移，保证阻抗匹配。电路设计用到连通场效应晶体管(MESFET)和分流场效应晶体管(MESFET)的控制信号等效装载方法(即在大部分电路中拥有相同连通和分流门宽度)来简化电路，无需直流电路。MMIC在超宽频带内显示了优秀的性能，并用薄片内芯片检测证实了设计思路的可行。数字/模拟低插入相移的大动态范围的超宽带衰减器集成电路主要广泛应用于数字微波通信、移动通信、相控阵雷达、电子对抗、制导和仪器等电子系统设备中的电子部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102035493A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010555932.4
申请日：2010-11-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: H03H7/12
Abstract: 本发明公开了一种带通/带阻式微型低温共烧陶瓷双工器，包括：带阻输入电感、带阻级间电感、带阻输出电感、带阻第一分支电感、带阻第二分支电感、带阻输入电容、带阻级间电容、带阻输出电容、带阻第一分支接地电容、带阻第二分支接地电容、带通输入电感、带通输出电感、带通第一分支电感、带通第二分支电感、带通输入电容、带通级间电容、带通输出电容、带通第一分支电容、带通第二分支电容、第一屏蔽接地层、第二屏蔽接地层以及通孔；所有元件基于低温共烧陶瓷工艺实现，在高性能陶瓷材料内部三维集成金属线条，空间配置灵活紧凑，本发明体积小、重量轻、可靠性高、电性能优异、相位频率特性线性变化、温度稳定性好，很好的满足了现代无线通信系统对于微型高性能微波双工器的需求。
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公开(公告)号：CN102006027A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010555948.5
申请日：2010-11-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: H03H7/09
Abstract: 本发明涉及一种C波段低损耗高抑制微型带通滤波器，包括适用于表面安装的输入/输出接口、采用两层折叠耦合带状线实现的五个并联谐振单元、四个零点设置电路、输入和输出电感，上述结构均采用多层低温共烧陶瓷工艺技术实现。本发明具有体积小、重量轻、电性能优异、可靠性高、相位频率特性线性度好、温度稳定性好、电性能批量一致性好、成本低、可大批量生产等优点，特别适用于雷达、通信、箭载、机载、弹载、宇宙飞船、单兵移动通信终端等无线通信手持和便携终端产品中，以及对体积、重量、电性能及可靠性等有苛刻要求的相应频段系统中。
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公开(公告)号：CN102006027B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010555948.5
申请日：2010-11-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: H03H7/09
Abstract: 本发明涉及一种C波段低损耗高抑制微型带通滤波器，包括适用于表面安装的输入/输出接口、采用两层折叠耦合带状线实现的五个并联谐振单元、四个零点设置电路、输入和输出电感，上述结构均采用多层低温共烧陶瓷工艺技术实现。本发明具有体积小、重量轻、电性能优异、可靠性高、相位频率特性线性度好、温度稳定性好、电性能批量一致性好、成本低、可大批量生产等优点，特别适用于雷达、通信、箭载、机载、弹载、宇宙飞船、单兵移动通信终端等无线通信手持和便携终端产品中，以及对体积、重量、电性能及可靠性等有苛刻要求的相应频段系统中。
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公开(公告)号：CN102148416B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201010555904.2
申请日：2010-11-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明涉及一种微波毫米波超宽带六位MMIC(单片微波集成电路)数字移相器，该移相器由5.625°、11.25°、22.5°、45°、90°、180°相移单元电路级联构成，5.625°相移位采用高/低通滤波器型拓扑结构，11.25°、22.5°、45°、90°、180°相移位均采用反射型拓扑结构，该移相器以5.625°为相移步进值，在0～360°的范围内总共可实现64种相移状态；该发明首先单独设计每一种移相位的单元电路，在每一个单元电路设计完成之后，采取从高位相移到低位相移排列顺序六位级联实现微波毫米波超宽带六位MMIC数字移相器；由于MMIC具有电路损耗小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、附加效率高、抗辐射能力强等优点，使得本发明电路拓扑及设计简单，制造工艺简便，成本低，芯片面积小，电性能改善大，工作频率带宽，插入损耗小，相移精度高。
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公开(公告)号：CN102006026A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010555946.6
申请日：2010-11-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: H03H7/09
Abstract: 本发明涉及一种Ku波段超窄带低损耗高抑制微型带通滤波器，包括适用于表面贴装的输入/输出接口；采用两层折叠耦合带状线实现的四个并联谐振单元；一个Z字形交叉耦合电路；输入和输出电感，上述结构均采用多层低温共烧陶瓷工艺技术实现。本发明具有通带选择性好、带外抑制好、插损小、重量轻、体积小、可靠性高、电性能好、相位频率特性线性度好、温度稳定性好、电性能批量一致性好、成本低、可大批量生产等优点，特别适用于雷达、通信、箭载、机载、弹载、宇宙飞船、单兵移动通信终端等无线通信手持和便携终端产品中，以及对体积、重量、电性能及可靠性等有苛刻要求的相应频段系统中。
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