MXene/ZnMnNi LDH范德华异质结构及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111599603A

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN202010433672.7

    申请日:2020-05-21

    IPC分类号: H01G11/26 H01G11/30 H01G11/86

    摘要: 本发明涉及一种MXene/ZnMnNi LDH范德华异质结构及其制备方法和应用,该制备方法包括制备方法,步骤一:制备单层ZnMnNi LDH纳米片(F-ZnMnNi LDH),步骤二:制备单层MXene纳米片(F-MXene)步骤三:将F-ZnMnNi LDH和F-MXene交替堆叠形成F-MXene/F-ZnMnNi LDH范德华异质结构。该应用包括用F-MXene/F-ZnMnNi LDH范德华异质结构参与制得的电极,以及由该电极制得的超级电容器。本发明F-MXene/F-ZnMnNi LDH范德华异质结构展现出优异的电化学性能,提高了电极材料的实际比电容和循环稳定性,使其在超级电容器领域有更好的应用。

    一种HMX基含能复合物的模拟方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115050425A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202110249168.6

    申请日:2021-03-08

    IPC分类号: G16C10/00

    摘要: 本发明公开了一种HMX基含能复合物的模拟方法。所述方法包括:(1)使用CSD数据库获取HMX晶体信息文件,MS软件打开HMX的晶体信息文件,建立HMX(4a×2b×4c)超晶胞模型;(2)将超晶胞沿着(011)、(‑111)或(020)晶面进行切割,得到切割模型;(3)建立聚合物模型,将构建好的聚合物模型的高度不断压缩,并进行结构优化,使其接近理论密度;(4)将聚合物添加到HMX中,构建不同晶面下的HMX基复合物模型,并对构建的复合物进行结构优化;(5)对HMX晶面切割模型及与该晶面对应的复合物的模型特定温度和压力下进行分子动力学模拟。本发明能够深入细致的研究HMX不同晶面与高聚物模型之间的结构与性能,方法简单安全,节省大量实验成本。

    MXene/ZnMnNi LDH范德华异质结构及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111599603B

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202010433672.7

    申请日:2020-05-21

    IPC分类号: H01G11/26 H01G11/30 H01G11/86

    摘要: 本发明涉及一种MXene/ZnMnNi LDH范德华异质结构及其制备方法和应用,该制备方法包括制备方法,步骤一:制备单层ZnMnNi LDH纳米片(F‑ZnMnNi LDH),步骤二:制备单层MXene纳米片(F‑MXene),步骤三:将F‑ZnMnNi LDH和F‑MXene交替堆叠形成F‑MXene/F‑ZnMnNi LDH范德华异质结构。该应用包括用F‑MXene/F‑ZnMnNi LDH范德华异质结构参与制得的电极,以及由该电极制得的超级电容器。本发明F‑MXene/F‑ZnMnNi LDH范德华异质结构展现出优异的电化学性能,提高了电极材料的实际比电容和循环稳定性,使其在超级电容器领域有更好的应用。