公开(公告)号：CN113707753A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202010372629.4

申请日：2020-05-06

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 吴立志 ,  张文豪 ,  沈瑞琪

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  C30B33/10 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种抗反射的微纳结构材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1，对P型CZ单晶硅片进行切片、清洗、退火、抛光预处理；步骤2，对预处理后的单晶硅片去除损伤层和氧化层；步骤3，对去除损伤层和氧化层的单晶硅片制绒，在抛光硅片表面形成金字塔结构阵列；步骤4，采用磁控溅射技术在步骤3中制绒的单晶硅片表面上沉积一层银膜，厚度12～16nm；步骤5，将步骤4中的沉积银膜的硅片置于H2O2和HF的混合溶液刻蚀；步骤6，将步骤5反应后的硅片置于30vol％的浓度HNO3溶液中，超声清洗3～5min，以去除表面的Ag颗粒，最终形成纳米线—金字塔的微纳复合结构材料。

公开(公告)号：CN113707740A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202010372627.5

申请日：2020-05-06

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 吴立志 ,  张文豪 ,  沈瑞琪

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  C30B33/10

Abstract: 本发明提供了一种黑硅材料的制备方法，具体步骤如下：步骤1，对P型CZ单晶硅片进行切片、清洗、退火、抛光预处理；步骤2，对预处理后的单晶硅片去除损伤层和氧化层。步骤3，对去除损伤层和氧化层的单晶硅片制绒，在抛光硅片表面形成金字塔结构阵列；步骤4，将表面有金字塔结构的单晶硅片中的的硅片置于H2O2、HF和AgNO3的混合溶液刻蚀；步骤5，步骤4将反应后的硅片，置于一定的浓度HNO3溶液中，超声清洗，以去除Ag颗粒，最终得到黑硅材料。

公开(公告)号：CN112779515A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201911087279.0

申请日：2019-11-08

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 吴立志 ,  张文豪 ,  曹金乐 ,  常仕民 ,  郭伟

IPC: C23C16/26 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/12 ,  C25D11/24

Abstract: 本发明公开了一种基于AAO模板的碳基纳米材料的制备方法。所述方法首先利用采用二次阳极氧化法制备高度有序的多孔氧化铝模板，然后采用化学气相沉积技术在多孔氧化铝模板孔内沉积碳纳米材料，得到基于AAO模板的碳基纳米材料。本发明制得的材料在近红外波段的平均反射率为15.2％，有效提高了碳基纳米材料的激光利用率。