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公开(公告)号：CN116162841B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202310052612.4
申请日：2023-02-02
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及纳米晶制造与粉末冶金领域，公开了超高屈服强度块体纳米晶中熵VCoNi合金及其制备方法，微观结构为单相FCC结构，纯度高、组织均匀、平均晶粒尺寸小于50nm、屈服强度高达3.4GPa的块体纳米晶合金；VCoNi合金中化学元素按以下配比：V:Co:Ni＝1:1:1；且熔炼母材的各纯元素纯度≥99.95％。本发明可以制备传统块体纳米晶的制备工艺很难制备出高纯度平均晶粒尺寸小于50nm的块体材料，本制备方案整套制备流程均在超高真空腔体中完成，并不存在样品被氧化的情况，能够极大的避免杂质元素对样品性能的影响，对于纳米晶理论与工程应用的发展具有重大作用。
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公开(公告)号：CN116287931A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310286627.7
申请日：2023-03-22
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及金属材料技术领域，具体提出了一种提高VCoNi中熵合金强度及硬度的方法。本发明将少量Al、Ti元素添加到VCoNi中熵合金中，并通过冷轧、淬火以及一系列热处理手段，显著提高合金的屈服强度和硬度。本发明通过电弧熔炼将高纯度的钒、钴、铬、钛、铝金属原料合金化得到VCoNi基合金铸锭，然后将所述铸锭在一定温度下均质化后进行冷轧处理，将冷轧后的样品在一定温度下进行再结晶处理，再进行冷轧处理，可以得到具有优异力学性能的高强合金。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116411212A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310167368.6
申请日：2023-02-27
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及金属材料相变领域，公开了一种通过有序无序相变显著提高纳米晶VCoNi中熵合金屈服强度的方法，先通过真空电弧熔炼炉制备高纯中熵VCoNi块体材料；随后通过大塑性变形(冷轧)与热处理对其进行组织均匀化处理；接着通过激光惰性气体冷凝和超高压制备块体材料；最后通过退火工艺使得材料发生有序无序转变，实现强度的显著提升。传统强化手段往往需要繁琐的工艺，需要巨大的时间与资金的投入，而且强化幅度有限。本发明提供的强化手段不仅操作简单，而且能够节约时间和资金投入成本；涉及的有序无序转变具有较强的可推广性，可以据此设计在一定条件下能够发生有序无序相变的材料，进而可大幅度地提升材料的力学性能。
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公开(公告)号：CN116411212B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202310167368.6
申请日：2023-02-27
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及金属材料相变领域，公开了一种通过有序无序相变显著提高纳米晶VCoNi中熵合金屈服强度的方法，先通过真空电弧熔炼炉制备高纯中熵VCoNi块体材料；随后通过大塑性变形(冷轧)与热处理对其进行组织均匀化处理；接着通过激光惰性气体冷凝和超高压制备块体材料；最后通过退火工艺使得材料发生有序无序转变，实现强度的显著提升。传统强化手段往往需要繁琐的工艺，需要巨大的时间与资金的投入，而且强化幅度有限。本发明提供的强化手段不仅操作简单，而且能够节约时间和资金投入成本；涉及的有序无序转变具有较强的可推广性，可以据此设计在一定条件下能够发生有序无序相变的材料，进而可大幅度地提升材料的力学性能。
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公开(公告)号：CN115948671B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310128236.2
申请日：2023-02-17
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及粉末冶金领域也属于热处理工艺领域，公开了一种通过低温退火进一步细化纳米晶晶粒的材料与方法，先运用真空电弧熔炼炉制备高纯中熵VCoNi块体材料；随后通过冷轧与热处理工艺对其进行组织均匀化处理；接着通过真空状态下激光惰性气体冷凝和超高压制备纳米晶块体材料；最后在不高于材料0.4个熔点的温度下进行真空保温退火实验实现晶粒尺寸的降低。本发明通过惰性气体冷凝制备的纳米晶VCoNi中熵合金在200℃和400℃保温一小时退火后，平均晶粒尺寸分别从制备态的42nm降低至37nm和31nm。传统晶粒细化的手段往往不仅需要花费漫长的制备时间还需要巨大的能源消耗，本发明的晶粒细化手段不仅操作简单，而且能够大大降低制备的时间和资金成本。
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公开(公告)号：CN115948671A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202310128236.2
申请日：2023-02-17
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及粉末冶金领域也属于热处理工艺领域，公开了一种通过低温退火进一步细化纳米晶晶粒的材料与方法，先运用真空电弧熔炼炉制备高纯中熵VCoNi块体材料；随后通过冷轧与热处理工艺对其进行组织均匀化处理；接着通过真空状态下激光惰性气体冷凝和超高压制备纳米晶块体材料；最后在不高于材料0.4个熔点的温度下进行真空保温退火实验实现晶粒尺寸的降低。本发明通过惰性气体冷凝制备的纳米晶VCoNi中熵合金在200℃和400℃保温一小时退火后，平均晶粒尺寸分别从制备态的42nm降低至37nm和31nm。传统晶粒细化的手段往往不仅需要花费漫长的制备时间还需要巨大的能源消耗，本发明的晶粒细化手段不仅操作简单，而且能够大大降低制备的时间和资金成本。
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公开(公告)号：CN116162841A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310052612.4
申请日：2023-02-02
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及纳米晶制造与粉末冶金领域，公开了超高屈服强度块体纳米晶中熵VCoNi合金及其制备方法，微观结构为单相FCC结构，纯度高、组织均匀、平均晶粒尺寸小于50nm、屈服强度高达3.4GPa的块体纳米晶合金；VCoNi合金中化学元素按以下配比：V:Co:Ni＝1:1:1；且熔炼母材的各纯元素纯度≥99.95％。本发明可以制备传统块体纳米晶的制备工艺很难制备出高纯度平均晶粒尺寸小于50nm的块体材料，本制备方案整套制备流程均在超高真空腔体中完成，并不存在样品被氧化的情况，能够极大的避免杂质元素对样品性能的影响，对于纳米晶理论与工程应用的发展具有重大作用。
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