公开(公告)号：CN104538205A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410730264.2

申请日：2014-12-04

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 戴玉明 ,  朱帅帅 ,  王章忠 ,  杭祖圣 ,  曹进峰 ,  黄响 ,  王超 ,  赵静涛

IPC: H01G11/46 ,  C01G53/04

CPC classification number: Y02E60/13 ,  H01G11/86 ,  C01G53/04 ,  H01G11/24 ,  H01G11/46

Abstract: 本发明公开了一种热氧化法制备氧化镍超电容电极材料的方法，简单、高效、制备成本低、环境污染小，制得的氧化镍电极材料具有优异的电容性能；氧化镍均匀分布在泡沫镍表面，且氧化镍层表面存在大量氧化镍颗粒和裂纹，使其作为电极材料时具有较大的活性面积，提高了离子在电极表面的传输速率，测得比电容值高达999F/g，经过5000次充放电循环后，比电容值保持率仍有79％(785F/g)。