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公开(公告)号：CN112261516B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202011292534.8
申请日：2020-11-18
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种利用半导体光放大器中慢光效应实现光缓存的装置及方法，所述装置包括第一光耦合器、第二光耦合器、第三光耦合器、半导体光放大器和光纤光栅；第一光耦合器、第二光耦合器、第三光耦合器、半导体光放大器和光纤光栅组成光纤环；第一光耦合器、第二光耦合器、第三光耦合器和半导体光放大器构成干涉器；第一光耦合器的第一输入端输入信号光，第二光耦合器的第二输入端为控制光输入端，输出端通过光纤光栅与第三光耦合器的第二输入端；第三光耦合器的第二输出端输出信号光。相比目前的光缓存技术，利用半导体光放大器中的慢光效应可以调节光信号的缓存延时量。
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公开(公告)号：CN112491477B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202011290170.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 南京工程学院
IPC: H04B10/291
Abstract: 本发明公开了一种由光信号控制的基于半导体光放大器实现光缓存的装置和方法，所述装置由第一PBS、光耦合器、半导体光放大器、光纤光栅和第二PBS依次串接构成的光纤环；第一PBS的第一输入端口为信号光输入端，第二PBS的第一输出端口为光纤环的信号光输出端；第一PBS起偏振合束的作用，第二PBS起偏振分束的作用。光耦合器是将信号光与控制光耦合进入半导体光放大器；半导体光放大器实现非线性偏振旋转，光纤光栅是将控制信号滤出，保留信号光。相比目前的光缓存技术，利用半导体光放大器中光信号的强度可以调节光信号的缓存延时量。
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公开(公告)号：CN112491477A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011290170.X
申请日：2020-11-18
Applicant: 南京工程学院
IPC: H04B10/291
Abstract: 本发明公开了一种由光信号控制的基于半导体光放大器实现光缓存的装置和方法，所述装置由第一PBS、光耦合器、半导体光放大器、光纤光栅和第二PBS依次串接构成的光纤环；第一PBS的第一输入端口为信号光输入端，第二PBS的第一输出端口为光纤环的信号光输出端；第一PBS起偏振合束的作用，第二PBS起偏振分束的作用。光耦合器是将信号光与控制光耦合进入半导体光放大器；半导体光放大器实现非线性偏振旋转，光纤光栅是将控制信号滤出，保留信号光。相比目前的光缓存技术，利用半导体光放大器中光信号的强度可以调节光信号的缓存延时量。
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公开(公告)号：CN112261516A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011292534.8
申请日：2020-11-18
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种利用半导体光放大器中慢光效应实现光缓存的装置及方法，所述装置包括第一光耦合器、第二光耦合器、第三光耦合器、半导体光放大器和光纤光栅；第一光耦合器、第二光耦合器、第三光耦合器、半导体光放大器和光纤光栅组成光纤环；第一光耦合器、第二光耦合器、第三光耦合器和半导体光放大器构成干涉器；第一光耦合器的第一输入端输入信号光，第二光耦合器的第二输入端为控制光输入端，输出端通过光纤光栅与第三光耦合器的第二输入端；第三光耦合器的第二输出端输出信号光。相比目前的光缓存技术，利用半导体光放大器中的慢光效应可以调节光信号的缓存延时量。
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